| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 主要符号表 | 第18-20页 |
| 1 绪论 | 第20-33页 |
| 1.1 研究背景及研究意义 | 第20-21页 |
| 1.2 文献综述 | 第21-31页 |
| 1.2.1 Si的晶体结构 | 第21页 |
| 1.2.2 ZnO的结构和形貌特征 | 第21-22页 |
| 1.2.3 ZnO薄膜的制备方法 | 第22-23页 |
| 1.2.4 AZO薄腹的导电机理 | 第23-24页 |
| 1.2.5 AZO界面错配相关研究 | 第24-25页 |
| 1.2.6 界面错配分析方法 | 第25-30页 |
| 1.2.7 GMS理论进展 | 第30页 |
| 1.2.8 Δg平行法则 | 第30-31页 |
| 1.3 本文主要研究思路 | 第31-33页 |
| 2 实验过程和方法 | 第33-37页 |
| 2.1 实验材料及实验流程 | 第33-34页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第33页 |
| 2.1.2 实验流程 | 第33-34页 |
| 2.2 样品制备和表征 | 第34-36页 |
| 2.2.1 SEM表面和截面样品制备及表征 | 第34页 |
| 2.2.2 TEM平面和截面样品制备及表征 | 第34-36页 |
| 2.2.3 XRD、AFM、四探针和电子探针样品分析制备 | 第36页 |
| 2.3 理论方法 | 第36-37页 |
| 3 性能优化实验 | 第37-47页 |
| 3.1 基底温度 | 第37-39页 |
| 3.2 溅射功率 | 第39-41页 |
| 3.3 工作气压 | 第41-43页 |
| 3.4 溅射时间 | 第43-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 4 界面错配与晶粒尺寸的定量关系研究 | 第47-82页 |
| 4.1 使用优选工艺参数进行薄膜沉积 | 第47-49页 |
| 4.2 薄膜结构表征 | 第49-50页 |
| 4.3 微观形貌表征 | 第50-56页 |
| 4.3.1 SEM表面和截面形貌对比 | 第50-52页 |
| 4.3.2 AFM表面形貌对比 | 第52-53页 |
| 4.3.3 TEM表面形貌对比 | 第53-55页 |
| 4.3.4 导电性能比较 | 第55-56页 |
| 4.4 ZnO//Si薄膜的界面错配分析 | 第56-67页 |
| 4.4.1 一次O点阵模型分析界面错配大小 | 第56-66页 |
| 4.4.2 GMS模型分析界面原子匹配 | 第66-67页 |
| 4.5 界面错配与晶粒尺寸的定量关系预测 | 第67-78页 |
| 4.6 弹性应变能计算优化 | 第78-80页 |
| 4.7 本章小结 | 第80-82页 |
| 5 低错配界面预测 | 第82-111页 |
| 5.1 Δg平行法则计算过程 | 第83-84页 |
| 5.2 (0002)_(ZnO)//(100)_(Si)界面附近的低错配界面预测 | 第84-102页 |
| 5.2.1 初始位向关系下的低错配界面预测 | 第84-87页 |
| 5.2.2 第二种位向关系下的低错配界面预测 | 第87-102页 |
| 5.3 (0002)_(ZnO)//(100)_(Si)界面附近的低错配界面预测 | 第102-109页 |
| 5.4 本章小结 | 第109-111页 |
| 6 基片设计优化薄膜电学性能 | 第111-131页 |
| 6.1 基片设计 | 第111-115页 |
| 6.2 薄膜沉积以及结构、形貌和方块电阻对比 | 第115-129页 |
| 6.2.1 (100)_(Si)附近无理取向硅晶面的结构、形貌和电学性能比较 | 第116-124页 |
| 6.2.2 (110)_(Si)附近无理取向硅晶面的结构、形貌和电学性能比较 | 第124-129页 |
| 6.3 本章小结 | 第129-131页 |
| 7 结论与展望 | 第131-134页 |
| 7.1 结论 | 第131-132页 |
| 7.2 创新点 | 第132-133页 |
| 7.3 展望 | 第133-134页 |
| 参考文献 | 第134-143页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第143-145页 |
| 致谢 | 第145-146页 |
| 作者简介 | 第146页 |
