150V抗辐射VDMOS的设计
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-13页 |
| 1.1.1 功率器件与VDMOS | 第9-10页 |
| 1.1.2 空间辐射与航天安全 | 第10-12页 |
| 1.1.3 辐射损伤与抗辐射加固 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-16页 |
| 1.2.1 单粒子烧毁(SEB) | 第13-15页 |
| 1.2.2 单粒子栅穿(SEGR) | 第15-16页 |
| 1.2.3 总剂量效应(TID) | 第16页 |
| 1.3 论文研究内容及意义 | 第16-17页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第17-19页 |
| 第二章 VDMOS工作原理与特性分析 | 第19-39页 |
| 2.1 VDMOS结构与工艺 | 第19-22页 |
| 2.1.1 VDMOS基本结构 | 第19-21页 |
| 2.1.2 VDMOS工艺流程 | 第21-22页 |
| 2.2 VDMOS工作特性 | 第22-27页 |
| 2.2.1 VDMOS关断特性 | 第22-25页 |
| 2.2.2 VDMOS导通特性 | 第25-27页 |
| 2.3 VDMOS主要参数 | 第27-35页 |
| 2.3.1 击穿电压 | 第27-29页 |
| 2.3.2 阈值电压 | 第29-30页 |
| 2.3.3 导通电阻 | 第30-35页 |
| 2.4 终端结构 | 第35-37页 |
| 2.4.1 场限环结构 | 第35-36页 |
| 2.4.2 场板结构 | 第36-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 SEB辐射效应研究 | 第39-53页 |
| 3.1 SEB分析模型 | 第39-44页 |
| 3.1.1 三极管击穿特性 | 第39-40页 |
| 3.1.2 电流引发雪崩倍增效应 | 第40-42页 |
| 3.1.3 拟光触发晶闸管模型 | 第42-44页 |
| 3.2 SEB数值仿真模型 | 第44-47页 |
| 3.2.1 SEB的电压特性 | 第44-45页 |
| 3.2.2 SEB的位置特性 | 第45-47页 |
| 3.3 SEGIB模型 | 第47-51页 |
| 3.3.1 SEB塌陷 | 第47-48页 |
| 3.3.2 SEB塌陷与SEGR | 第48-49页 |
| 3.3.3 SEGIB | 第49-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 器件SEB判定与加固 | 第53-65页 |
| 4.1 器件SEB加固能力判定 | 第53-58页 |
| 4.1.1 SEB的数值仿真判定 | 第53-54页 |
| 4.1.2 复合曲线法 | 第54-56页 |
| 4.1.3 复合曲线法的优化 | 第56-57页 |
| 4.1.4 SOLA点与SEB加固判定 | 第57-58页 |
| 4.2 SEB加固 | 第58-63页 |
| 4.2.1 梯度外延结构 | 第58-59页 |
| 4.2.2 P~+扩散结构 | 第59-60页 |
| 4.2.3 超结结构 | 第60-61页 |
| 4.2.4 局部SOI结构 | 第61页 |
| 4.2.5 沟槽结构 | 第61-62页 |
| 4.2.6 加固措施的比较与讨论 | 第62-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 抗辐射VDMOS的设计 | 第65-73页 |
| 5.1 VDMOS元胞设计 | 第65-67页 |
| 5.1.1 外延层浓度设计 | 第65页 |
| 5.1.2 外延层厚度设计 | 第65-66页 |
| 5.1.3 阈值电压设计 | 第66-67页 |
| 5.2 终端结构设计 | 第67-68页 |
| 5.2.1 场限环设计 | 第67页 |
| 5.2.2 场板设计 | 第67-68页 |
| 5.3 版图设计 | 第68-72页 |
| 5.3.1 元胞设计 | 第68-69页 |
| 5.3.2 终端设计 | 第69-71页 |
| 5.3.3 版图概览 | 第71-72页 |
| 5.4 抗辐射工艺设计 | 第72页 |
| 5.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 工艺流程与仿真 | 第73-81页 |
| 6.1 工艺流程 | 第73-75页 |
| 6.2 电学特性仿真 | 第75-79页 |
| 6.2.1 击穿电压 | 第75-77页 |
| 6.2.2 阈值电压 | 第77页 |
| 6.2.3 导通电阻 | 第77-78页 |
| 6.2.4 其他特性 | 第78-79页 |
| 6.3 本章小结 | 第79-81页 |
| 第七章 总结与展望 | 第81-83页 |
| 7.1 总结 | 第81页 |
| 7.2 展望 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-93页 |
| 作者简介 | 第93页 |
