| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号表 | 第13-14页 |
| 缩略词 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第15-16页 |
| 1.2 a-Si:H TFT器件结构与制备工艺 | 第16-17页 |
| 1.3 a-Si:H TFT模型研究现状及进展 | 第17-24页 |
| 1.3.1 陷阱态密度 | 第18-19页 |
| 1.3.2 a-Si:H薄膜导电机理及温度效应 | 第19页 |
| 1.3.3 单栅结构的非晶硅薄膜晶体管（a-Si:H TFT）模型进展 | 第19-22页 |
| 1.3.4 双栅结构的a-Si:H TFT建模进展 | 第22-24页 |
| 1.4 建模存在的几个关键问题 | 第24页 |
| 1.5 论文结构与主要内容 | 第24-26页 |
| 1.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第二章 单栅结构的a-Si:H TFT紧凑电流模型及特性分析 | 第27-54页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 陷落电荷的多项式拟合求解 | 第27-31页 |
| 2.3 正向偏置下电流特性分析及建模 | 第31-45页 |
| 2.3.1 载流子荷电分析 | 第31-34页 |
| 2.3.2 单栅a-Si:H TFT背沟道电势求解 | 第34-36页 |
| 2.3.3 亚阈区模型 | 第36-38页 |
| 2.3.4 开启区模型 | 第38-40页 |
| 2.3.5 模型整合与结果分析 | 第40-45页 |
| 2.4 反向偏置下a-Si:H TFT电流特性分析与建模 | 第45-53页 |
| 2.4.1 连续陷阱态密度分布下的载流子产生-俘获（G-C）模型 | 第45-48页 |
| 2.4.2 交叠耗尽层等效电场计算 | 第48-49页 |
| 2.4.3 泄漏电流模型与结果分析 | 第49-53页 |
| 2.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第三章 双栅a-Si:H TFT结构深隙陷阱态Gaussian分布下电势的逐次逼近求解策略 | 第54-69页 |
| 3.1 引言 | 第54-55页 |
| 3.2 表面势及中点电势的逐次逼近求解策略 | 第55-63页 |
| 3.3 模型结果与讨论 | 第63-68页 |
| 3.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第四章 双栅a-Si:H TFT紧凑电流模型及与n+ - i -n+叠层结构下的非线性特性分析 | 第69-94页 |
| 4.1 引言 | 第69-70页 |
| 4.2 对称双栅a-Si:H TFT漏电流模型 | 第70-74页 |
| 4.3 漏电流模型结果验证与分析 | 第74-79页 |
| 4.4 反叠n~+- i- n~+ 结构下TFT电学特性的二维模拟 | 第79-84页 |
| 4.5 反叠结构下TFT交叠区域内电流密度与沟道电势分布 | 第84-88页 |
| 4.6 n~+-i- n~+ 结构下考虑空间电荷限制传导的非线性电流模型 | 第88-92页 |
| 4.7 本章小结 | 第92-94页 |
| 第五章 非对称双栅结构a-Si:H TFT沟道电势模型 | 第94-107页 |
| 5.1 引言 | 第94页 |
| 5.2 物理模型及求解 | 第94-100页 |
| 5.3 结果分析与讨论 | 第100-106页 |
| 5.4 本章小结 | 第106-107页 |
| 结论 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-120页 |
| 附录 | 第120-122页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
| 附件 | 第125页 |
