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基于FPGA的DDR3 SDRAM控制器设计

摘要第10-11页
ABSTRACT第11页
第一章 绪论第12-17页
    1.1 课题背景及意义第12-13页
    1.2 国内外现状第13-15页
        1.2.1 存储器的发展现状第13-14页
        1.2.2 内存控制器的发展现状第14-15页
    1.3 研究的主要内容第15页
    1.4 论文结构安排第15-17页
第二章 DDR3关键技术及工作机制第17-29页
    2.1 DDR3 SDRAM内部结构及原理第17-19页
        2.1.1 DDR3内部结构第17-18页
        2.1.2 DDR3工作原理第18-19页
    2.2 DDR3关键技术第19-23页
        2.2.1 8-bit预取技术第19-20页
        2.2.2 低功耗设计技术第20-21页
        2.2.3 点对点连接第21-22页
        2.2.4 突发长度第22-23页
        2.2.5 ZQ校准第23页
    2.3 DDR3工作过程第23-29页
        2.3.1 上电和初始化第23-24页
        2.3.2 状态转换第24-25页
        2.3.3 配置模式寄存器第25-26页
        2.3.4 DDR3命令第26-29页
第三章 DDR3控制器总体设计第29-51页
    3.1 DDR3控制器设计架构第29-30页
        3.1.1 DDR3控制器功能分析第29-30页
        3.1.2 DDR3控制器整体架构第30页
    3.2 传输层相应模块设计第30-46页
        3.2.1 时钟模块设计第31-33页
        3.2.2 刷新模块设计第33页
        3.2.3 指令译码模块第33-35页
        3.2.4 主状态机模块第35-36页
        3.2.5 计数器模块第36-37页
        3.2.6 指令队列模块第37-38页
        3.2.7 Bank管理模块第38页
        3.2.8 ODT生成模块第38-39页
        3.2.9 ECC模块第39-40页
        3.2.10 异步FIFO模块第40-46页
    3.3 数据通路第46-48页
        3.3.1 写数据通路模块第47-48页
        3.3.2 读数据通路模块第48页
    3.4 物理层ALTMEMPHY设计第48-51页
        3.4.1 ALTMEMPHY子模块介绍第48-49页
        3.4.2 ALTMEMPHY接口介绍第49页
        3.4.3 ALTMEMPHY设计第49-51页
第四章 功能仿真第51-59页
    4.1 传输层部分模块测试第51-55页
        4.1.1 刷新模块第51-52页
        4.1.2 状态机模块第52-54页
        4.1.3 指令译码模块第54-55页
    4.2 异步FIFO子模块及总体测试第55-59页
        4.2.1 存储缓冲器fifomem第55-56页
        4.2.2 读写同步模块sync_r2w第56-57页
        4.2.3 写读同步模块sync_w2r第57页
        4.2.4 异步FIFO总体测试第57-59页
第五章 总结与展望第59-61页
    5.1 总结第59页
    5.2 未解决的问题和以后工作展望第59-61页
参考文献第61-65页
致谢第65-66页
附件第66页

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