| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 专用术语注释表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 忆阻器（Memristor）的提出和发展 | 第10-11页 |
| 1.3 忆阻器（Memristor）的应用 | 第11-13页 |
| 1.4 忆阻（Memristive）材料 | 第13-16页 |
| 1.5 有机半导体的四元设计原理 | 第16-18页 |
| 1.6 苯并噻二唑（BT）类有机半导体 | 第18-20页 |
| 1.7 有机大环分子 | 第20页 |
| 1.8 有机纳米格子半导体的提出和发展 | 第20-22页 |
| 1.9 课题提出与论文设计思想 | 第22-23页 |
| 第二章 苯并噻二唑类“口”字形纳米格子设计合成和忆阻性能研究 | 第23-44页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 实验部分 | 第24-33页 |
| 2.2.1 实验原料和试剂 | 第24-25页 |
| 2.2.2 综合测试与表征 | 第25-26页 |
| 2.2.3 合成实验 | 第26-33页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第33-43页 |
| 2.3.1 合成与结构表征 | 第33-35页 |
| 2.3.2 热学性质 | 第35-36页 |
| 2.3.3 光学性质 | 第36-38页 |
| 2.3.4 电化学性质 | 第38-39页 |
| 2.3.5 理论计算 | 第39-41页 |
| 2.3.6 两端型有机二极管器件 | 第41-43页 |
| 2.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 苯并噻二唑类互握式纳米格子合成和忆阻性能研究 | 第44-58页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 实验部分 | 第44-49页 |
| 3.2.1 实验原料和试剂 | 第44-45页 |
| 3.2.2 综合表征测试 | 第45页 |
| 3.2.3 合成实验 | 第45-49页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第49-57页 |
| 3.3.1 合成与结构表征 | 第49-51页 |
| 3.3.2 热学性质 | 第51-52页 |
| 3.3.3 光学性质 | 第52-54页 |
| 3.3.4 电化学性质 | 第54-55页 |
| 3.3.5 两端型有机二极管器件 | 第55-57页 |
| 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 苯并噻二唑类三苯胺桥“口”字形格子及其聚格子的合成与忆阻性能研究 | 第58-70页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 实验部分 | 第58-63页 |
| 4.2.1 原料和试剂 | 第58-59页 |
| 4.2.2 测试表征 | 第59页 |
| 4.2.3 合成实验 | 第59-63页 |
| 4.3 结果讨论 | 第63-68页 |
| 4.3.1 合成与结构表征 | 第63-64页 |
| 4.3.2 热学性质 | 第64-65页 |
| 4.3.3 光学性质 | 第65-66页 |
| 4.3.4 电化学性质 | 第66-67页 |
| 4.3.5 两端型有机二极管器件 | 第67-68页 |
| 本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 附录1 附图 | 第78-106页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第106-107页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第107-108页 |
| 附录4 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109页 |
