空间环境Mo/Si多层膜与Ge膜稳定性研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-31页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 地球等离子体层与月基极紫外相机 | 第14-23页 |
| 1.2.1 地球磁层 | 第14-15页 |
| 1.2.2 等离子体层 | 第15-17页 |
| 1.2.3 地球等离子体层的观测进展 | 第17-20页 |
| 1.2.4 月基极紫外相机 | 第20-23页 |
| 1.3 极紫外多层膜研究进展 | 第23-25页 |
| 1.4 电荷感应层Ge薄膜研究进展 | 第25-26页 |
| 1.4.1 光子计数成像探测器 | 第25-26页 |
| 1.4.2 电荷感应层Ge薄膜 | 第26页 |
| 1.5 空间环境效应及其对薄膜稳定性影响 | 第26-29页 |
| 1.5.1 空间环境效应研究进展 | 第26-27页 |
| 1.5.2 月面环境及其对薄膜稳定性的影响 | 第27-29页 |
| 1.6 本文研究目的与研究内容 | 第29-31页 |
| 1.6.1 本文研究目的 | 第29-30页 |
| 1.6.2 内容安排 | 第30-31页 |
| 第2章 薄膜的热扩散、应力与辐照理论 | 第31-48页 |
| 2.1 多层膜的热扩散理论 | 第31-39页 |
| 2.1.1 完全互溶型多层膜微结构的演化 | 第32-35页 |
| 2.1.2 反应扩散形成金属间化合物 | 第35-38页 |
| 2.1.3 完全不互溶型多层膜微结构的演化 | 第38-39页 |
| 2.2 薄膜应力基础 | 第39-43页 |
| 2.2.1 张应力与压应力 | 第39-41页 |
| 2.2.2 热应力与内应力 | 第41-42页 |
| 2.2.3 应力的控制技术 | 第42-43页 |
| 2.3 荷电粒子束辐照理论 | 第43-47页 |
| 2.3.1 辐照效应 | 第43-44页 |
| 2.3.2 辐照效应产生的缺陷 | 第44-45页 |
| 2.3.3 带电粒子在材料中传输的模拟 | 第45-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第3章 薄膜设计、制备与检测 | 第48-71页 |
| 3.1 磁控溅射镀膜技术 | 第48-50页 |
| 3.1.1 溅射镀膜技术 | 第48-49页 |
| 3.1.2 磁控溅射镀膜技术 | 第49-50页 |
| 3.2 Mo/Si多层膜设计与制备 | 第50-56页 |
| 3.2.1 Mo/Si多层膜的设计 | 第50-54页 |
| 3.2.2 Mo/Si多层膜的制备 | 第54-56页 |
| 3.3 Ge膜的制备与电阻检测 | 第56-59页 |
| 3.4 硬X射线检测 | 第59-64页 |
| 3.4.1 X射线衍射仪原理 | 第59-60页 |
| 3.4.2 X射线小角衍射分析 | 第60-62页 |
| 3.4.3 X射线大角衍射分析 | 第62-64页 |
| 3.5 反射率检测 | 第64-66页 |
| 3.6 应力与形貌检测 | 第66-69页 |
| 3.6.1 薄膜应力测试方法 | 第66-67页 |
| 3.6.2 薄膜形貌检测 | 第67-69页 |
| 3.7 本章小结 | 第69-71页 |
| 第4章 Mo/Si多层膜稳定性研究 | 第71-101页 |
| 4.1 引言 | 第71页 |
| 4.2 Mo/Si多层膜热稳定性 | 第71-81页 |
| 4.2.1 极紫外多层膜热稳定性研究进展 | 第71-75页 |
| 4.2.2 Mo/Si多层膜原位SAXRD测试 | 第75-79页 |
| 4.2.3 Mo/Si多层膜反射率测试 | 第79页 |
| 4.2.4 Mo/Si多层膜HAXRD测试 | 第79-81页 |
| 4.3 Mo/Si多层膜应力稳定性 | 第81-93页 |
| 4.3.1 Mo/Si多层膜应力的研究进展 | 第81-83页 |
| 4.3.2 Mo/Si多层膜非原位应力研究 | 第83-87页 |
| 4.3.3 Mo/Si多层膜高温退火表面形貌 | 第87-88页 |
| 4.3.4 Mo/Si多层膜原位面形测试 | 第88-90页 |
| 4.3.5 Mo/Si多层膜原位应力测试 | 第90-93页 |
| 4.4 Mo/Si多层膜质子辐照稳定性 | 第93-99页 |
| 4.4.1 质子辐照模拟分析 | 第93-95页 |
| 4.4.2 质子辐照实验与分析 | 第95-99页 |
| 4.5 本章小结 | 第99-101页 |
| 第5章 Ge膜稳定性研究 | 第101-126页 |
| 5.1 引言 | 第101页 |
| 5.2 Ge膜热稳定性 | 第101-107页 |
| 5.2.1 Ge膜非原位电阻测试 | 第101-104页 |
| 5.2.2 Ge膜原位电阻测试 | 第104-107页 |
| 5.3 Ge膜应力稳定性研究 | 第107-111页 |
| 5.3.1 Ge膜非原位应力研究 | 第107-109页 |
| 5.3.2 Ge膜原位应力研究 | 第109-110页 |
| 5.3.3 Ge薄膜的表面形貌 | 第110-111页 |
| 5.4 Ge膜质子辐照稳定性 | 第111-116页 |
| 5.4.1 高能粒子对电子元器件的影响 | 第111-112页 |
| 5.4.2 质子辐照模拟分析 | 第112-114页 |
| 5.4.3 辐照稳定性实验与分析 | 第114-116页 |
| 5.5 RF与DC制备Ge膜的性能及其时间稳定性 | 第116-124页 |
| 5.5.1 Ge膜结构与形貌分析 | 第116-119页 |
| 5.5.2 Ge膜电学性能分析 | 第119-121页 |
| 5.5.3 Ge膜时间稳定性分析 | 第121-123页 |
| 5.5.4 Ge膜电阻对系统成像性能的影响 | 第123-124页 |
| 5.6 本章小结 | 第124-126页 |
| 第6章 总结与展望 | 第126-129页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第126-127页 |
| 6.2 工作展望 | 第127-129页 |
| 参考文献 | 第129-138页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第138-139页 |
| 指导教师及作者简介 | 第139-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
