| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 阻变随机存储器(RRAM) | 第10-11页 |
| 1.1.1 定义 | 第10页 |
| 1.1.2 研究背景和发展 | 第10-11页 |
| 1.2 RRAM阻变行为的分类 | 第11-12页 |
| 1.3 RRAM阻变机制的分类 | 第12-16页 |
| 1.3.1 肖特基势垒模型 | 第12-13页 |
| 1.3.2 SCLC理论 | 第13-15页 |
| 1.3.3 P-F效应 | 第15页 |
| 1.3.4 Filament模型 | 第15-16页 |
| 1.4 RRAM器件的磁性研究 | 第16-17页 |
| 1.5 本文研究的主要内容 | 第17-19页 |
| 2 器件制备与表征 | 第19-29页 |
| 2.1 靶材的制备和表征 | 第19页 |
| 2.2 脉冲激光沉积法制备薄膜及其表征 | 第19-24页 |
| 2.2.1 脉冲激光沉积介绍 | 第20-21页 |
| 2.2.2 薄膜的制备 | 第21-22页 |
| 2.2.3 薄膜的表征 | 第22-24页 |
| 2.3 电极的制备 | 第24-26页 |
| 2.3.1 直流磁控溅射沉积法简介 | 第24-25页 |
| 2.3.2 高真空电阻蒸发镀膜法简介 | 第25页 |
| 2.3.3 掩膜板法镀电极 | 第25-26页 |
| 2.4 器件的电学性能的表征 | 第26-27页 |
| 2.4.1 I-V测试系统简介 | 第26页 |
| 2.4.2 电学性能测试 | 第26-27页 |
| 2.5 器件的磁学性能的表征 | 第27-29页 |
| 2.5.1 振动样品磁强计选件(VSM) | 第27-28页 |
| 2.5.2 直流输运选件(DC Resistivity) | 第28-29页 |
| 3 晶体微观形貌对Ti/PSCMO/Pt器件的电阻开关特性的影响 | 第29-38页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 PSCMO薄膜的制备和表征 | 第29-32页 |
| 3.2.1 PSCMO薄膜的制备 | 第29-30页 |
| 3.2.2 PSCMO薄膜的表征 | 第30-32页 |
| 3.3 结晶程度不同的Ti/PSCMO/Pt器件的电阻开关特性测量与机理解释 | 第32-35页 |
| 3.3.1 器件的电阻开关特性测量 | 第32-34页 |
| 3.3.2 器件阻变特性的机理解释 | 第34-35页 |
| 3.4 电触发对Ti/PSCMO-1/Pt器件阻变特性的影响及机理解释 | 第35-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 4 不同电阻状态对Ag/PSCMO/Pt器件磁性的影响 | 第38-46页 |
| 4.1 引言 | 第38-39页 |
| 4.2 PSCMO薄膜的制备与表征 | 第39-40页 |
| 4.2.1 薄膜的制备 | 第39页 |
| 4.2.2 薄膜的表征 | 第39-40页 |
| 4.3 Ag/PSCMO/Pt器件电阻开关特性的测量与机理解释 | 第40-42页 |
| 4.3.1 器件电阻开关特性的测量 | 第40-41页 |
| 4.3.2 器件阻变特性的机理解释 | 第41-42页 |
| 4.4 Ag/PSCMO/Pt器件中不同电阻态下的磁性测量 | 第42-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 5 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读硕士期间获得的科研成果 | 第55页 |
