| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 论文的研究背景及意义 | 第8页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第8页 |
| 1.1.2 选题意义 | 第8页 |
| 1.2 国内外研究现状及发展趋势 | 第8-9页 |
| 1.3 研究内容 | 第9-12页 |
| 第2章 核电阀门电控系统设计 | 第12-22页 |
| 2.1 电控系统标准技术性能 | 第12页 |
| 2.2 电控系统总体方案设计 | 第12-18页 |
| 2.2.1 电控系统的工作原理 | 第12-13页 |
| 2.2.2 控制系统总体方案设计 | 第13-14页 |
| 2.2.3 电控系统功率板设计 | 第14-15页 |
| 2.2.4 电控系统控制板设计 | 第15-18页 |
| 2.3 电控系统实现 | 第18-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 辐照效应对核电阀门电控系统损伤研究 | 第22-29页 |
| 3.1 核辐射的对电子系统的损害研究 | 第22-25页 |
| 3.1.1 核辐射的对电子系统的基本效应研究 | 第22页 |
| 3.1.2 辐照产生氧化物陷阱电荷 | 第22-25页 |
| 3.2 辐照产生界面陷阱电荷 | 第25页 |
| 3.3 总剂量辐射效应对MOS器件造成的影响 | 第25-28页 |
| 3.4 电路的抗辐照加固设计 | 第28页 |
| 3.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第4章 电控系统易损单元的辐照效应及其加固研究 | 第29-47页 |
| 4.1 反相器的总剂量辐照效应及仿真研究 | 第29-32页 |
| 4.1.1 反相器的总剂量辐照效应 | 第29-30页 |
| 4.1.2 反相器仿真模型 | 第30-31页 |
| 4.1.3 仿真结果分析与讨论 | 第31-32页 |
| 4.2 抗辐照反相器设计及仿真 | 第32-34页 |
| 4.3 DC/DC转换器的选用及辐照分析 | 第34-37页 |
| 4.3.1 转换器选型及测试方法 | 第34-35页 |
| 4.3.2 辐照实验结果 | 第35-37页 |
| 4.4 基于筛选的抗辐射加固方案 | 第37-42页 |
| 4.4.1 VDMOS器件抗辐射筛选方案 | 第37-38页 |
| 4.4.2 PWM器件抗辐射筛选方案 | 第38-39页 |
| 4.4.3 器件筛选对DC/DC转换器抗辐射性能提高的作用 | 第39-42页 |
| 4.5 基于PHM理念的DC/DC转换器整体预兆单元 | 第42-45页 |
| 4.5.1 DC/DC转换器预兆单元的设计 | 第43-45页 |
| 4.5.2 DC/DC转换器预兆单元与PHM系统 | 第45页 |
| 4.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 第5章 核电阀门电控系统总体加固技术 | 第47-60页 |
| 5.1 控制系统容错 | 第47-51页 |
| 5.1.1 控制单元容错 | 第47-48页 |
| 5.1.2 电控系统仲裁模块 | 第48-50页 |
| 5.1.3 存储单元容错设计 | 第50-51页 |
| 5.2 控制电机容错分析 | 第51-53页 |
| 5.2.1 控制电机故障分析 | 第51-52页 |
| 5.2.2 双通道无刷直流电机结构 | 第52-53页 |
| 5.3 电机控制单元硬件容错设计 | 第53-56页 |
| 5.3.1 电机控制单元结构 | 第53-54页 |
| 5.3.2 单粒子锁定防护电路 | 第54-56页 |
| 5.3.3 其它主要硬件电路 | 第56页 |
| 5.4 系统抗辐射屏蔽 | 第56-58页 |
| 5.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |