| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 量子通信技术 | 第12-15页 |
| 1.3 量子通信进展 | 第15-16页 |
| 1.4 量子保密通信中的单光子探测器 | 第16-17页 |
| 1.5 本论文的主要内容 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第2章 单光子探测技术 | 第21-47页 |
| 2.1 光电倍增管 | 第22-26页 |
| 2.2 雪崩光电二极管 | 第26-35页 |
| 2.3 超导单光子探测器 | 第35-39页 |
| 2.4 上转换单光子探测器 | 第39-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 第3章 电磁场计算 | 第47-55页 |
| 3.1 时域有限差分法 | 第47-50页 |
| 3.2 严格耦合波分析方法 | 第50-53页 |
| 3.2.1 二元光栅严格耦合分析方法 | 第51-52页 |
| 3.2.2 周期结构严格耦合波分析方法 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第4章 新型硅基雪崩光电二极管设计 | 第55-79页 |
| 4.1 硅雪崩光电二极管 | 第55-61页 |
| 4.1.1 薄节型硅雪崩光电管 | 第55-58页 |
| 4.1.2 厚节型雪崩光电管 | 第58-59页 |
| 4.1.3 CMOS工艺制作的单光子雪崩光电管 | 第59-60页 |
| 4.1.4 共振腔型雪崩光电管 | 第60-61页 |
| 4.2 新型的雪崩光电二极管 | 第61-75页 |
| 4.2.1 器件结构 | 第61-62页 |
| 4.2.2 数值模拟 | 第62-75页 |
| 4.3 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 第5章 磷化铟铟砷化镓单光子雪崩光电二极管设计 | 第79-111页 |
| 5.1 磷化铟/铟砷化镓单光子雪崩管的结构 | 第80-81页 |
| 5.2 雪崩管线性模式和盖革模式的差别 | 第81-82页 |
| 5.3 线性模式 | 第82-87页 |
| 5.3.1 雪崩增益 | 第82-83页 |
| 5.3.2 额外噪声 | 第83-86页 |
| 5.3.3 暗电流 | 第86页 |
| 5.3.4 响应速度 | 第86-87页 |
| 5.4 盖革模式雪崩光电管设计 | 第87-102页 |
| 5.4.1 反射 | 第88页 |
| 5.4.2 吸收 | 第88-90页 |
| 5.4.3 电场分布 | 第90-91页 |
| 5.4.4 电离系数 | 第91-93页 |
| 5.4.5 雪崩电压 | 第93-94页 |
| 5.4.6 雪崩概率 | 第94-98页 |
| 5.4.7 暗计数 | 第98-101页 |
| 5.4.8 后脉冲 | 第101-102页 |
| 5.5 用于量子密钥分发的InGaAs/InP雪崩管设计 | 第102-108页 |
| 5.6 本章小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-111页 |
| 第6章 总结和展望 | 第111-115页 |
| 6.1 总结 | 第111-112页 |
| 6.2 未来展望 | 第112-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第117页 |