| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 引言 | 第15页 |
| 1.2 纳米材料与器件 | 第15-16页 |
| 1.3 K-Cu-S三元体系的介绍 | 第16-18页 |
| 1.3.1 KCu_7S_4的结构 | 第16-17页 |
| 1.3.2 KCu_7S_4的性质 | 第17-18页 |
| 1.4 存储器的分类 | 第18-24页 |
| 1.4.1 电荷陷阱相关的阻变存储器 | 第20-21页 |
| 1.4.2 导电丝(Conductive Filament)机制的阻变存储器 | 第21-23页 |
| 1.4.3 电极限制(electrode-limited)效应机制的阻变存储器 | 第23-24页 |
| 1.5 本课题的研究背景、目的、意义及现状 | 第24-25页 |
| 第二章 KCu_7S_4纳米带的合成及其表征 | 第25-38页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 纳米结构的合成方法 | 第25-30页 |
| 2.2.1 气相制备纳米结构的方法 | 第26-27页 |
| 2.2.2 用模板制备纳米结构的方法 | 第27-28页 |
| 2.2.3 液相制备纳米结构的方法 | 第28-30页 |
| 2.3 实验中所需药品和仪器清单 | 第30-31页 |
| 2.4 KCu_7S_4纳米带的合成 | 第31页 |
| 2.5 KCu_7S_4准一维纳米结构的物相与形貌表征 | 第31-37页 |
| 2.5.1 XRD分析 | 第31-33页 |
| 2.5.2 SEM分析 | 第33-34页 |
| 2.5.3 TEM分析 | 第34-35页 |
| 2.5.4 XPS分析 | 第35-36页 |
| 2.5.5 UV分析 | 第36-37页 |
| 2.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 KCu_7S_4纳米带的电学性能表征及应用 | 第38-45页 |
| 3.1 纳米器件的制备 | 第38-41页 |
| 3.1.1 实验药品和仪器 | 第38页 |
| 3.1.2 器件制备过程 | 第38-41页 |
| 3.2 KCu_7S_4纳米带电学性能的表征 | 第41-44页 |
| 3.2.1 KCu_7S_4纳米带欧姆特性的表征 | 第41-42页 |
| 3.2.2 KCu_7S_4纳米带场效应特性的研究 | 第42-43页 |
| 3.2.3 KCu_7S_4纳米带低温特性的研究 | 第43-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 基于KCu_7S_4纳米带的非易失存储器的研究 | 第45-52页 |
| 4.1 非易失存储器的研究现状和进展 | 第45页 |
| 4.2 Au/KCu_7S_4 NB/Cu存储器件制备过程 | 第45-46页 |
| 4.3 基于KCu_7S_4纳米带Au/Cu存储器件特性的研究 | 第46-51页 |
| 4.3.1 Au/KCu_7S_4NB/Cu存储器性能的研究 | 第46-49页 |
| 4.3.2 Au/KCu_7S_4 NB/Cu存储器机理的研究 | 第49-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 全文总结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第57页 |
