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暴露高能(002)晶面超薄CdS纳米带的制备、改性及光催化性能研究

摘要第4-6页
abstract第6-8页
第1章 绪论第12-22页
    1.1 引言第12页
    1.2 半导体光催化原理第12-14页
    1.3 半导体光催化材料的改性方法第14-18页
        1.3.1 掺杂第14-15页
        1.3.2 负载助催化剂第15-16页
        1.3.3 半导体复合第16-17页
        1.3.4 形貌调控第17-18页
    1.4 CdS半导体光催化材料的研究进展第18-21页
        1.4.1 CdS的晶体结构第18-19页
        1.4.2 CdS的应用第19-21页
    1.5 选题思路及研究内容第21-22页
第2章 暴露高能(002)晶面的CdS单晶纳米带以及其负载MoS_2的光催化材料的制备及其表征第22-44页
    2.1 引言第22-23页
    2.2 实验部分第23-28页
        2.2.1 实验药品第23页
        2.2.2 实验仪器第23-24页
        2.2.3 实验过程第24-25页
        2.2.4 催化剂的表征第25页
        2.2.5 光解水产氢性能测试第25-26页
        2.2.6 产氢定量方法第26-27页
        2.2.7 表观量子效率的测定第27页
        2.2.8 理论计算过程第27页
        2.2.9 光电化学性能测试第27-28页
    2.3 CdS纳米粒子与CdS纳米带结果讨论与分析第28-34页
        2.3.1 XRD测试第28-29页
        2.3.2 TEM测试第29-30页
        2.3.3 比表面积测试第30-31页
        2.3.4 荧光光谱分析第31页
        2.3.5 产氢测试结果第31-32页
        2.3.6 光解水产氢循环测试第32-33页
        2.3.7 理论计算结果分析第33-34页
    2.4 CdS纳米带负载MoS_2光催化材料的结果与讨论第34-42页
        2.4.1 XRD分析第34-35页
        2.4.2 TEM测试第35-36页
        2.4.3 UV-vis吸收第36-37页
        2.4.4 PL分析第37-38页
        2.4.5 光催化分解水产氢测试第38页
        2.4.6 光解水产氢循环测试第38-39页
        2.4.7 光电化学性能测试第39-41页
        2.4.8 产氢机理分析第41-42页
    2.5 本章小结第42-44页
第3章 C包覆CdS纳米带和CdS纳米带与C3N4复合材料的制备及表征第44-57页
    3.1 前言第44页
    3.2 实验部分第44-47页
        3.2.1 实验药品第44-45页
        3.2.2 实验仪器第45页
        3.2.3 实验过程第45-46页
        3.2.4 催化剂表征第46页
        3.2.5 产品的光催化性能测试第46-47页
        3.2.6 光电化学性能测试第47页
    3.3 碳包覆CdS纳米带的结果讨论与分析第47-52页
        3.3.1 XRD分析第47-48页
        3.3.2 形貌表征第48页
        3.3.3 紫外-可见漫反射光谱分析第48-49页
        3.3.4 PL分析第49-50页
        3.3.5 光催化性能测试第50页
        3.3.6 光电化学性能测试第50-52页
    3.4 C_3N_4与CdS纳米带的复合材料的结果讨论与分析第52-55页
        3.4.1 XRD分析第52页
        3.4.2 形貌分析第52-53页
        3.4.3 紫外-可见漫反射光谱分析第53-54页
        3.4.4 光催化性能测试第54页
        3.4.5 光催化活性以及稳定性提高的机制第54-55页
    3.5 本章小结第55-57页
第4章 结论与展望第57-59页
    4.1 结论第57-58页
    4.2 展望第58-59页
参考文献第59-65页
致谢第65-66页
个人简历第66页

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