| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 绪论 | 第9-10页 |
| 1.2 基础理论简介 | 第10-17页 |
| 1.2.1 晶体硅太阳电池的基本结构及发电原理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 晶体硅太阳电池的性能参数 | 第11-13页 |
| 1.2.3 PID效应的产生机理及危害 | 第13-17页 |
| 1.3 本论文的研究背景及研究内容 | 第17-19页 |
| 1.3.1 研究背景 | 第17页 |
| 1.3.2 本论文的研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 单晶硅太阳电池生产工艺简介 | 第19-26页 |
| 2.1 前言 | 第19页 |
| 2.2 单晶硅太阳电池片生产工艺步骤 | 第19-25页 |
| 2.2.1 生产设备及药品 | 第19-20页 |
| 2.2.2 表面织构化(简称制绒) | 第20-21页 |
| 2.2.3 扩散制PN结 | 第21-22页 |
| 2.2.4 湿法刻蚀边缘PN结和去磷硅玻璃 | 第22页 |
| 2.2.5 臭氧氧化法生成SiO_2钝化薄膜 | 第22页 |
| 2.2.6 等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备氮化硅减反射膜 | 第22-23页 |
| 2.2.7 丝网印刷电极及背电场 | 第23页 |
| 2.2.8 烧结合金 | 第23页 |
| 2.2.9 测试分选 | 第23-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 SiO_2-SiN_x钝化减反射薄膜的制备工艺与性能研究 | 第26-40页 |
| 3.1 引言 | 第26-28页 |
| 3.2 臭氧氧化法生长SiO_2薄膜 | 第28-32页 |
| 3.2.1 SiO_2薄膜的制备 | 第28-31页 |
| 3.2.2 表征方法 | 第31页 |
| 3.2.3 实验结果与分析 | 第31-32页 |
| 3.3 与臭氧氧化技术相匹配的PECVD镀膜工艺 | 第32-36页 |
| 3.3.1 双层SiN_x薄膜的制备 | 第32-34页 |
| 3.3.2 表征方法 | 第34页 |
| 3.3.3 结果及分析 | 第34-36页 |
| 3.4 电池成品电性能参数测试分析 | 第36-38页 |
| 3.4.1 电池片的制作 | 第36-37页 |
| 3.4.2 表征方法 | 第37页 |
| 3.4.3 结果及分析 | 第37-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 总结与展望 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 附录 | 第43-47页 |
| 致谢 | 第47页 |