| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 二维材料概述 | 第12-13页 |
| 1.2 二维过渡金属硫族化合物 | 第13-28页 |
| 1.2.1 晶体结构和性质 | 第13-15页 |
| 1.2.2 制备方法 | 第15-17页 |
| 1.2.3 电学性能研究 | 第17-22页 |
| 1.2.4 光学性能研究 | 第22-25页 |
| 1.2.5 光电器件领域研究 | 第25-28页 |
| 1.3 选题的意义和内容 | 第28-29页 |
| 第二章 高性能WS_2场效应晶体管制备和电学性质研究 | 第29-46页 |
| 2.1 引言 | 第29-30页 |
| 2.2 实验部分 | 第30-36页 |
| 2.2.1 背栅WS_2场效应晶体管的加工 | 第30-32页 |
| 2.2.2 Al_2O_3衬底的制备和表征 | 第32-33页 |
| 2.2.3 WS_2硫醇处理样品方法 | 第33-34页 |
| 2.2.4 WS_2器件的电学测试 | 第34-36页 |
| 2.3 实验结果与分析 | 第36-42页 |
| 2.3.1 衬底对于单层WS_2载流子输运的影响 | 第36-40页 |
| 2.3.2 化学处理对于单层WS_2载流子输运的影响 | 第40-42页 |
| 2.4 补充 | 第42-45页 |
| 2.4.1 器件的其他电学特性 | 第42-43页 |
| 2.4.2 理论模型 | 第43-45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 MoSe_2光生载流子动力学研究 | 第46-53页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 实验部分 | 第46-49页 |
| 3.2.1 不同High-k衬底上的MoSe_2制备 | 第46-47页 |
| 3.2.2 超快光谱测试 | 第47-49页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第49-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 结论和展望 | 第53-56页 |
| 4.1 结论 | 第53-54页 |
| 4.2 展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 已发表成果 | 第60-62页 |
