| 摘要 | 第12-17页 |
| ABSTRACT | 第17-21页 |
| 论文中常用符号说明 | 第22-24页 |
| 第一章 绪论 | 第24-37页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第24-26页 |
| 1.2 国内外研究现状及存在的问题 | 第26-34页 |
| 1.3 研究内容及论文安排 | 第34-37页 |
| 第二章 LED模型的数值计算方法 | 第37-57页 |
| 2.1 电磁场数值计算方法综述 | 第37-39页 |
| 2.2 时域有限差分法FDTD | 第39-48页 |
| 2.2.1 Maxwell方程与Yee元胞 | 第40-45页 |
| 2.2.2 数值稳定性与数值色散 | 第45-47页 |
| 2.2.3 吸收边界条件 | 第47-48页 |
| 2.3 LED的数值计算模型 | 第48-56页 |
| 2.3.1 LED的发光效率 | 第48-50页 |
| 2.3.2 LED的仿真结构模型设置 | 第50-56页 |
| 2.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第三章 利用复合光子晶体结构提高LED光提取效率的研究 | 第57-71页 |
| 3.1 光子晶体结构LED | 第57-59页 |
| 3.2 复合光子晶体结构LED的仿真模型 | 第59-61页 |
| 3.3 不同刻蚀深度的光子晶体对LED光提取效率的影响 | 第61-64页 |
| 3.4 复合光子晶体结构的渐变折射率抗反射特性 | 第64-67页 |
| 3.5 复合光子晶体的衍射特性 | 第67-70页 |
| 3.6 本章小结 | 第70-71页 |
| 第四章 嵌入式光子晶体提高SiC衬底倒装结构LED光提取效率 | 第71-86页 |
| 4.1 SiC衬底倒装结构LED | 第71-73页 |
| 4.2 嵌入式光子晶体SiC衬底倒装结构LED仿真模型 | 第73-74页 |
| 4.3 有源层位置对LED光提取效率的影响 | 第74-76页 |
| 4.4 光子晶体刻蚀深度对LED光提取效率的影响 | 第76-78页 |
| 4.5 光子晶体相对于有源层的位置对LED光提取效率的影响 | 第78-80页 |
| 4.6 光子晶体的填充率和周期对LED光提取效率的影响 | 第80-81页 |
| 4.7 嵌入式光子晶体与表面光子晶体的比较 | 第81-84页 |
| 4.8 本章小结 | 第84-86页 |
| 第五章 ZnO纳米管对LED光提取效率的影响 | 第86-97页 |
| 5.1 ZnO纳米管结构LED | 第86-88页 |
| 5.2 ZnO纳米管结构LED的仿真模型 | 第88-89页 |
| 5.3 ZnO纳米管的高度对LED光提取效率的影响 | 第89-91页 |
| 5.4 ZnO纳米管的内径和壁厚对LED光提取效率的影响 | 第91-93页 |
| 5.5 ZnO纳米管阵列周期对LED光提取效率的影响 | 第93-95页 |
| 5.6 可见光谱范围内的光提取效率 | 第95-96页 |
| 5.7 本章小结 | 第96-97页 |
| 第六章 复合结构提高三基色白光LED光提取效率的研究 | 第97-111页 |
| 6.1 复合结构白光LED | 第97-99页 |
| 6.2 复合结构LED的仿真模型 | 第99页 |
| 6.3 绿光的光提取-嵌入式光子晶体 | 第99-103页 |
| 6.3.1 嵌入式光子晶体相对于有源层的距离对绿光提取效率的影响 | 第99-101页 |
| 6.3.2 嵌入式光子晶体的刻蚀深度对绿光提取效率的影响 | 第101-102页 |
| 6.3.3 嵌入式光子晶体的半径和填充率对绿光提取效率的影响 | 第102-103页 |
| 6.4 蓝光的光提取-表面光子晶体 | 第103-106页 |
| 6.4.1 表面光子晶体的刻蚀深度对蓝光提取效率的影响 | 第103-105页 |
| 6.4.2 表面光子晶体的半径和填充率对蓝光提取效率的影响 | 第105-106页 |
| 6.5 红光的光提取-纳米棒 | 第106-108页 |
| 6.5.1 纳米棒的半径对红光提取效率的影响 | 第106-107页 |
| 6.5.2 纳米棒的高度对红光提取效率的影响 | 第107-108页 |
| 6.6 可见光谱范围内的光提取效率 | 第108-110页 |
| 6.7 本章小结 | 第110-111页 |
| 第七章 大功率GaN基光子晶体结构LED的光-电性能分析 | 第111-130页 |
| 7.1 "Droop"效应与电流密度分布 | 第111-114页 |
| 7.2 GaN基光子晶体结构LED的仿真模型 | 第114-117页 |
| 7.3 LED有源层内的电流密度分布 | 第117-121页 |
| 7.3.1 LED内的电流传输路径 | 第117-120页 |
| 7.3.2 LED有源层内的电流密度分布 | 第120-121页 |
| 7.4 偶极子源位置对LED光提取效率的影响 | 第121-123页 |
| 7.5 光子晶体半径对LED电流密度分布和外量子效率的影响 | 第123-125页 |
| 7.6 光子晶体填充率对LED电流密度分布和外量子效率的影响 | 第125-127页 |
| 7.7 光子晶体刻蚀深度对LED电流密度分布和外量子效率的影响 | 第127-129页 |
| 7.8 本章小结 | 第129-130页 |
| 第八章 SiO_2光子晶体结构LED的光-电-热特性研究 | 第130-148页 |
| 8.1 SiO_2光子晶体结构LED | 第130-131页 |
| 8.2 SiO_2光子晶体结构LED的仿真模型 | 第131-134页 |
| 8.3 SiO_2光子晶体对LED光提取效率的影响 | 第134-139页 |
| 8.3.1 SiO_2光子晶体的深度对LED光提取效率的影响 | 第134-135页 |
| 8.3.2 SiO_2光子晶体的半径和填充率对LED光提取效率的影响 | 第135-139页 |
| 8.4 空气孔光子晶体对LED光提取效率的影响 | 第139-143页 |
| 8.4.1 空气孔光子晶体的刻蚀深度对LED光提取效率的影响 | 第139-140页 |
| 8.4.2 空气孔光子晶体的半径和填充率对LED光提取效率的影响 | 第140-143页 |
| 8.5 SiO_2光子晶体结构LED有源层内的电流密度分布 | 第143-144页 |
| 8.6 SiO_2光子晶体结构LED有源层内的温度分布 | 第144-146页 |
| 8.7 本章小结 | 第146-148页 |
| 第九章 总结与展望 | 第148-154页 |
| 9.1 论文主要研究成果及贡献 | 第148-152页 |
| 9.2 论文的不足及后续工作展望 | 第152-154页 |
| 参考文献 | 第154-168页 |
| 致谢 | 第168-169页 |
| 博士期间发表的论文、参与的项目及获得的奖励 | 第169-171页 |
| 附录 英文论文两篇 | 第171-191页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第191页 |
