| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 主要符号表 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第14页 |
| 1.2 硫系层状材料发展现状 | 第14-20页 |
| 1.2.1 硫系层状拓扑绝缘体研究进展 | 第14-17页 |
| 1.2.2 硫系层状拓扑绝缘体制备研究 | 第17-20页 |
| 1.3 本论文的选题和研究内容 | 第20-23页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第23-24页 |
| 第二章 实验原理与方法 | 第24-41页 |
| 2.1 实验材料及设备 | 第24-26页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第24-25页 |
| 2.1.2 实验仪器设备 | 第25-26页 |
| 2.2 材料制备方法 | 第26-31页 |
| 2.2.1 真空生长技术 | 第26-28页 |
| 2.2.2 物理气相沉积 | 第28页 |
| 2.2.3 分子束外延技术 | 第28-31页 |
| 2.3 材料结构、形貌及物性表征 | 第31-40页 |
| 2.3.1 反射式高能电子衍射 | 第31-32页 |
| 2.3.2 扫描隧道显微镜 | 第32-35页 |
| 2.3.3 高分辨率X射线衍射技术 | 第35-37页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱分析 | 第37-38页 |
| 2.3.5 霍尔效应测试 | 第38-39页 |
| 2.3.6 热导率测试 | 第39-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 层状硫系化合物薄膜PVD制备与性质研究 | 第41-75页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 物理气相沉积系统工作原理 | 第41-45页 |
| 3.2.1 实验原理 | 第41-43页 |
| 3.2.2 工艺流程 | 第43-45页 |
| 3.3 H-Si(111)衬底上Bi_2Se_3薄膜生长研究 | 第45-52页 |
| 3.3.1 生长温度对薄膜结构影响 | 第45-48页 |
| 3.3.2 薄膜形貌和成分分析 | 第48-51页 |
| 3.3.3 薄膜生长速率研究 | 第51-52页 |
| 3.4 H-Si(111)衬底上Sb_2Te_3薄膜生长研究 | 第52-57页 |
| 3.4.1 生长温度对薄膜结构的影响 | 第52-54页 |
| 3.4.2 薄膜的形貌和成分分析 | 第54-56页 |
| 3.4.3 薄膜的拉曼光谱研究 | 第56-57页 |
| 3.5 H-Si(111)衬底上Bi_2Te_3薄膜生长研究 | 第57-70页 |
| 3.5.1 薄膜的结构分析 | 第57-63页 |
| 3.5.2 薄膜形貌和成分分析 | 第63-68页 |
| 3.5.3 薄膜断面及霍尔测试 | 第68-70页 |
| 3.6 Bi_2Se_3与Si异质结能带结构研究 | 第70-74页 |
| 3.7 本章小结 | 第74-75页 |
| 第四章 Bi_2Se_3纳米结构及层状硫系化合物异质结制备研究 | 第75-93页 |
| 4.1 引言 | 第75-76页 |
| 4.2 Bi_2Se_3纳米结构制备研究 | 第76-82页 |
| 4.2.1 Au催化云母衬底上Bi_2Se_3纳米结构制备 | 第76-78页 |
| 4.2.2 Au催化硅衬底上Bi_2Se_3纳米结构制备 | 第78-79页 |
| 4.2.3 无需催化硅衬底上Bi_2Se_3纳米结构制备 | 第79-82页 |
| 4.3 层状硫系化合物异质结制备研究 | 第82-92页 |
| 4.3.1 在Sb_2Te_3上生长Bi_2Se_3薄膜 | 第82-85页 |
| 4.3.2 在Sb_2Te_3上生长Bi_2Te_3薄膜 | 第85-87页 |
| 4.3.3 在Bi_2Te_3上生长Bi_2Se_3薄膜 | 第87页 |
| 4.3.4 在Bi_2Se_3上生长Bi_2Te_3薄膜 | 第87-90页 |
| 4.3.5 A_2B_3层状材料多层膜生长总结 | 第90-92页 |
| 4.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 第五章 Bi_2Se_3薄膜分子束外延生长研究 | 第93-109页 |
| 5.1 引言 | 第93页 |
| 5.2 Si(111)-7x7表面Bi_2Se_3生长研究 | 第93-99页 |
| 5.2.1 超高真空中Si(111)-7x7表面特征 | 第93-95页 |
| 5.2.2 Si(111)-7x7表面Bi_2Se_3生长研究 | 第95-99页 |
| 5.3 H-Si(111)上Bi_2Se_3外延生长研究 | 第99-101页 |
| 5.4 Bi诱导Si(111)上Bi_2Se_3外延生长研究 | 第101-108页 |
| 5.4.1 Bi诱导Si(111)上Bi_2Se_3薄膜结构 | 第101-104页 |
| 5.4.2 Bi诱导Si(111)上Bi_2Se_3薄膜形貌 | 第104-108页 |
| 5.5 本章小结 | 第108-109页 |
| 第六章 Bi_2Se_3掺杂及硫系化合物超晶格的制备与研究 | 第109-138页 |
| 6.1 引言 | 第109-110页 |
| 6.2 Bi_2Se_3非平衡掺杂与特性研究 | 第110-124页 |
| 6.2.1 Bi_2Se_3薄膜在云母衬底生长特性 | 第110-114页 |
| 6.2.2 Sb掺杂Bi_2Se_3薄膜生长研究 | 第114-116页 |
| 6.2.3 Sb掺杂Bi_2Se_3薄膜结构和形貌分析 | 第116-120页 |
| 6.2.4 Sb掺杂Bi_2Se_3薄膜光学性质研究 | 第120-122页 |
| 6.2.5 Sb掺杂Bi_2Se_3薄膜电学性质研究 | 第122-124页 |
| 6.3 Bi_2Se_3/In_2Se_3超晶格制备与性质研究 | 第124-136页 |
| 6.3.1 Bi_2Se_3/In_2Se_3量子超晶格介绍 | 第124-125页 |
| 6.3.2 Bi_2Se_3/In_2Se_3超晶格制备研究 | 第125-131页 |
| 6.3.3 Bi_2Se_3/In_2Se_3超晶格结构分析 | 第131-133页 |
| 6.3.4 Bi_2Se_3/In_2Se_3超晶格热导性质研究 | 第133-136页 |
| 6.4 本章小结 | 第136-138页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第138-141页 |
| 7.1 主要结论与创新点 | 第138-140页 |
| 7.2 展望 | 第140-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-155页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第155-158页 |
