摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-10页 |
第一章 文献综述 | 第10-26页 |
·纳米分子筛的合成 | 第11-15页 |
·清液合成法 | 第11-12页 |
·凝胶合成法 | 第12页 |
·空间限制法 | 第12-13页 |
·基团保护法 | 第13-15页 |
·多级孔分子筛的合成 | 第15-20页 |
·后处理法 | 第15-16页 |
·原位合成法 | 第16-18页 |
·前驱体组装法 | 第18-20页 |
·其他方法 | 第20页 |
·分子筛合成机制 | 第20-25页 |
·固相转变机理 | 第20-21页 |
·液相转变机理 | 第21-22页 |
·两相转变机理 | 第22-23页 |
·聚集机理 | 第23-25页 |
·本文工作思路 | 第25-26页 |
第二章 实验部分 | 第26-39页 |
·实验试剂及设备 | 第26-27页 |
·实验方法 | 第27-29页 |
·Beta分子筛合成清液的制备 | 第27-28页 |
·Beta分子筛原粉的制备 | 第28页 |
·纳米Beta分子筛的制备 | 第28-29页 |
·多级孔纳米Beta分子筛的制备 | 第29页 |
·表征方法 | 第29-36页 |
·结构性能表征 | 第29-33页 |
·元素组成及状态表征 | 第33-34页 |
·酸性表征 | 第34页 |
·接枝效果分析 | 第34-36页 |
·催化裂解反应评价 | 第36-39页 |
·“拟均相”催化裂解反应 | 第36页 |
·固定床催化裂解反应 | 第36-37页 |
·产物分析 | 第37-38页 |
·吸热能力测量 | 第38-39页 |
第三章 Beta分子筛的晶化机制研究 | 第39-52页 |
·分子筛成核与晶体生长过程 | 第39-48页 |
·分子筛形态转化 | 第39-40页 |
·合成液碱性变化 | 第40-41页 |
·形貌及晶体结构演变 | 第41-46页 |
·微结构演变过程 | 第46-48页 |
·Beta分子筛的晶化机理 | 第48-51页 |
·硅铝原子的引入状态 | 第48-49页 |
·结构导向剂的引入 | 第49页 |
·Beta分子筛的聚集晶化机理 | 第49-51页 |
·小结 | 第51-52页 |
第四章 纳米Beta分子筛的可控合成及性能研究 | 第52-72页 |
·晶核保护法可控合成纳米Beta分子筛 | 第52-60页 |
·晶体结构性能调控 | 第52-58页 |
·纳米Beta分子筛与前驱体粒度关联 | 第58-59页 |
·保护晶种合成纳米beta分子筛机理 | 第59-60页 |
·有机溶剂中合成单分散纳米Beta分子筛 | 第60-67页 |
·结晶度及形貌结构性能 | 第60-62页 |
·晶核与硅烷试剂接枝率调控 | 第62-64页 |
·纳米分子筛的分散稳定性 | 第64-65页 |
·纳米beta分子筛酸性特征 | 第65-67页 |
·纳米Beta分子筛的催化裂解性能 | 第67-70页 |
·反应性能及积碳评价 | 第67-69页 |
·结构性能及分散稳定性对反应性能的影响 | 第69页 |
·气液相产物分布 | 第69-70页 |
·小结 | 第70-72页 |
第五章 含晶内介孔的纳米Beta分子筛的可控合成及性能研究 | 第72-83页 |
·含晶内介孔的纳米Beta分子筛的可控合成 | 第72-79页 |
·介孔分子筛的结晶度及形貌 | 第72-75页 |
·孔道结构性能的变化趋势 | 第75-76页 |
·硅铝原子存在环境 | 第76-77页 |
·酸强、酸量分布及酸中心可接近性 | 第77-79页 |
·催化裂解性能 | 第79-82页 |
·反应活性分析 | 第79-80页 |
·产物分布分析 | 第80页 |
·产物烯烷比及选择性 | 第80-82页 |
·小结 | 第82-83页 |
第六章 Beta/有序介孔复合分子筛的可控合成及性能研究 | 第83-95页 |
·Beta/MCM-41复合有序介孔的Beta分子筛的可控合成 | 第83-91页 |
·分子筛前驱体对晶体结构的影响 | 第83-84页 |
·复合材料形貌及孔道结构性能 | 第84-87页 |
·原子配位状态及酸性能变化 | 第87-90页 |
·Beta/MCM-41的可控合成机理 | 第90-91页 |
·催化裂解性能 | 第91-94页 |
·反应转化率及活性 | 第91-92页 |
·反应产物分布 | 第92页 |
·反应产物选择性 | 第92-94页 |
·小结 | 第94-95页 |
第七章 结论与创新 | 第95-97页 |
·主要结论 | 第95页 |
·主要创新点 | 第95-97页 |
参考文献 | 第97-111页 |
发表论文和参加科研情况 | 第111-113页 |
致谢 | 第113-114页 |