| 引言 | 第1-7页 |
| 1 绪论 | 第7-15页 |
| ·几种新型非易失性存储器 | 第7-8页 |
| ·铁电存储器 | 第7页 |
| ·磁阻存储器 | 第7页 |
| ·阻变存储器 | 第7-8页 |
| ·相变存储器 | 第8页 |
| ·主流及四种新型非易失性半导体存储器的性能比较 | 第8-9页 |
| ·相变存储器研发历程与应用前景 | 第9-11页 |
| ·相变存储器原理 | 第11-12页 |
| ·擦过程 | 第11页 |
| ·写过程 | 第11页 |
| ·读过程 | 第11-12页 |
| ·相变材料及其存在的缺点 | 第12-14页 |
| ·本论文的研究意义及内容 | 第14-15页 |
| 2 实验与测试方法 | 第15-18页 |
| ·实验原料 | 第15页 |
| ·实验仪器 | 第15-16页 |
| ·薄膜性能表征手段 | 第16-18页 |
| 3 新型二元Zn-Sb相变薄膜的结构及性能研究 | 第18-28页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·样品制备 | 第18-19页 |
| ·结果分析与讨论 | 第19-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 4 Sb富含Zn-Sb-Te相变薄膜的结构及性能研究 | 第28-50页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·ZnSb-Sb2Te相变材料的制备和性能表征 | 第28-39页 |
| ·样品制备 | 第28-29页 |
| ·薄膜析晶行为及结构性能 | 第29-34页 |
| ·薄膜电学及热学性能 | 第34-37页 |
| ·薄膜的光致相变性能 | 第37-39页 |
| ·ZnSb-Sb3Te相变材料的制备和性能表征 | 第39-45页 |
| ·样品制备 | 第39-40页 |
| ·薄膜电学及热学性能 | 第40-43页 |
| ·薄膜的光致相变及光学带隙性能 | 第43-45页 |
| ·ZnSb-Sb2Te3相变材料的制备和性能表征 | 第45-48页 |
| ·样品制备 | 第45-46页 |
| ·薄膜电学及热学性能 | 第46-47页 |
| ·薄膜析晶性能 | 第47-48页 |
| ·薄膜的光致相变性能 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 5 Sb富含的Zn-Sb-Se相变薄膜结构及性能研究 | 第50-59页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·样品制备 | 第50页 |
| ·薄膜电学及热学性能 | 第50-52页 |
| ·薄膜结构性能 | 第52-55页 |
| ·薄膜的光致相变性能 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 6 金属掺杂ZnSb基的薄膜结构及性能研究 | 第59-66页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·样品制备 | 第59-60页 |
| ·薄膜电学和热学性能 | 第60-61页 |
| ·薄膜结构性能 | 第61-62页 |
| ·薄膜光学性能 | 第62-64页 |
| ·薄膜表面性能 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 7 研究总结与工作展望 | 第66-69页 |
| ·研究总结 | 第66-67页 |
| ·工作展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
| 在学研究成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 论文摘要 | 第78-79页 |
| Abstract | 第79-80页 |