| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-24页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·半导体纳米材料简介 | 第11-17页 |
| ·半导体纳米材料的基本特性 | 第12-13页 |
| ·半导体纳米材料的合成方法 | 第13-14页 |
| ·半导体纳米材料在光电器件中的应用 | 第14-17页 |
| ·纳米光子学的研究内容及应用 | 第17-20页 |
| ·场效应晶体管的发展 | 第20-22页 |
| ·本课题的研究目的及内容 | 第22-24页 |
| 第2章 有机场效应晶体管结构光电探测器的基础理论 | 第24-36页 |
| ·有机场效应晶体管工作原理及结构类型 | 第24-29页 |
| ·有机场效应晶体管工作原理 | 第24页 |
| ·有机场效应晶体管结构类型 | 第24-26页 |
| ·有机场效应晶体管性能的影响因素 | 第26-29页 |
| ·场效应结构的光电探测器 | 第29-36页 |
| ·场效应结构的光电探测器的工作原理 | 第29页 |
| ·场效应结构光电探测器的制备方法 | 第29-31页 |
| ·场效应结构光电探测器的材料选择 | 第31-32页 |
| ·场效应晶体管光电探测器的表征参数 | 第32-36页 |
| 第3章 PbS_xSe_(1-x)量子点的合成与表征 | 第36-41页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·实验部分 | 第36-38页 |
| ·实验药品与材料及合成设备 | 第36页 |
| ·PbS_xSe_(1-x)量子点的合成 | 第36-38页 |
| ·测试仪器与测试方法 | 第38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-40页 |
| ·PbS_xSe_(1-x)量子点的形貌与尺寸分析 | 第38页 |
| ·PbS_xSe_(1-x)量子点的结构分析 | 第38-39页 |
| ·PbS_xSe_(1-x)量子点的光学性质分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 基于P3HT:PbS_(0.4)Se_(0.6)的FET结构的红外光电探测器 | 第41-51页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·实验部分 | 第42-43页 |
| ·实验药品与材料以及设备 | 第42页 |
| ·器件的制备 | 第42-43页 |
| ·测试仪器及测试方法 | 第43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-50页 |
| ·器件电学性能表征 | 第43-45页 |
| ·器件探测性能表征 | 第45-49页 |
| ·器件响应时间 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-63页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
