纳米Cu2O-WO3材料的制备和光电性能的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 引言 | 第8-9页 |
| 2 文献综述 | 第9-17页 |
| ·半导体光催化技术 | 第9-10页 |
| ·氧化亚铜光催化研究进展 | 第10-14页 |
| ·Cu_2O光催化的优化改性 | 第11-14页 |
| ·氧化亚铜的制备方法 | 第14-15页 |
| ·本文的选题思路和研究内容 | 第15-17页 |
| 3 实验部分 | 第17-22页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第17页 |
| ·实验试剂 | 第17页 |
| ·电化学沉积设备和实验过程 | 第17-18页 |
| ·电化学沉积设备 | 第17-18页 |
| ·电沉积实验过程 | 第18页 |
| ·阳极氧化法实验设备和过程 | 第18-19页 |
| ·材料的表征 | 第19-20页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第19页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第19-20页 |
| ·材料的光电化学性能测试 | 第20-22页 |
| ·瞬态光电流响应测试 | 第20-21页 |
| ·电容—电压测试(C-V) | 第21-22页 |
| 4 Cu_2O-WO_3薄膜的制备和性能研究 | 第22-38页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·电化学沉积氧化亚铜的原理 | 第22-23页 |
| ·电沉积Cu_2O-WO_3薄膜 | 第23页 |
| ·结果分析与讨论 | 第23-37页 |
| ·氧化钨加入量对薄膜形貌和光电性能的影响 | 第23-28页 |
| ·温度对薄膜形貌和光电性能的影响 | 第28-31页 |
| ·pH对氧化亚铜形貌和光电性能的影响 | 第31-34页 |
| ·电位对薄膜表面形貌和光电性能的影响 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 5 阳极氧化法制备纳米Cu_2O薄膜 | 第38-47页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·阳极氧化法制备纳米Cu_2O薄膜 | 第38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-46页 |
| ·不同反应时间对纳米Cu_2O形貌的影响 | 第38-39页 |
| ·不同温度对纳米Cu_2O形貌的影响 | 第39-41页 |
| ·不同电压对纳米Cu_2O形貌的影响 | 第41-42页 |
| ·不同pH对纳米Cu_2O形貌的影响 | 第42-43页 |
| ·不同退火温度对纳米Cu_2O瞬态光电流的影响 | 第43-44页 |
| ·不同退火温度对氧化亚铜载流子浓度的影响 | 第44-45页 |
| ·不同退火温度下的氧化亚铜电化学阻抗谱分析 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 6 阳极氧化法制备纳米Cu_2O-WO_3薄膜 | 第47-56页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·阳极氧化法制备复合纳米Cu_2O-WO_3薄膜 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-55页 |
| ·不同温度对样品形貌的影响 | 第47-49页 |
| ·不同pH对样品形貌的影响 | 第49-50页 |
| ·不同电压对粉末形貌的影响 | 第50-51页 |
| ·薄膜的EDX结果分析 | 第51页 |
| ·不同退火温度对薄膜结晶度的影响 | 第51-53页 |
| ·不同退火温度对样品光电流的影响 | 第53-54页 |
| ·不同退火温度对样品载流子浓度的影响 | 第54页 |
| ·不同退火温度下的氧化亚铜电化学阻抗谱分析 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 7 结论与展望 | 第56-57页 |
| ·结论 | 第56页 |
| ·展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
