| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·拓扑绝缘体简介 | 第10-11页 |
| ·Bi_2Se_3的特性及应用 | 第11-13页 |
| ·Bi_2Se_3的制备方法及研究进展 | 第13-17页 |
| ·Bi_2Se_3的制备方法 | 第13-16页 |
| ·Bi_2Se_3的研究进展 | 第16-17页 |
| ·选题依据及研究内容 | 第17-20页 |
| 第二章 制备方法及表征技术 | 第20-24页 |
| ·实验设备 | 第20页 |
| ·实验材料及试剂 | 第20-21页 |
| ·制备 Bi_2Se_3纳米结构的实验装置和步骤 | 第21-22页 |
| ·测试表征技术 | 第22-24页 |
| 第三章 Bi_2Se_3纳米结构的制备及其表征 | 第24-42页 |
| ·Se 对合成 Bi_2Se_3的影响 | 第24-30页 |
| ·制备条件 | 第24页 |
| ·实验结果与分析 | 第24-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| ·生长温度对生长 Bi_2Se_3的影响 | 第30-36页 |
| ·制备条件 | 第30页 |
| ·Bi_2Se_3的表征和分析 | 第30-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| ·生长时间对合成 Bi_2Se_3的影响 | 第36-42页 |
| ·制备条件 | 第36页 |
| ·Bi_2Se_3的表征和分析 | 第36-40页 |
| ·小结 | 第40-42页 |
| 第四章 石墨烯缓冲层对制备 Bi_2Se_3的影响 | 第42-50页 |
| ·石墨烯简介 | 第42-43页 |
| ·石墨烯的制备 | 第43页 |
| ·湿法转移石墨烯到 SiO_2衬底 | 第43-45页 |
| ·在石墨烯上制备 Bi_2Se_3的生长条件 | 第45页 |
| ·样品的表征和分析 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 全文总结 | 第50-52页 |
| ·本论文的主要研究成果 | 第50-51页 |
| ·对今后研究工作的建议 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和获得的奖励 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |