| 目录 | 第1-4页 |
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-22页 |
| ·纳米材料综述 | 第6-9页 |
| ·纳米材料的发展及应用 | 第6-8页 |
| ·半导体纳米线的概述 | 第8-9页 |
| ·核壳纳米线的研究进展 | 第9-13页 |
| ·核壳纳米线的发展 | 第9-11页 |
| ·碳化硅和氮化铝物理性质及研究进展 | 第11-13页 |
| ·稀磁半导体 | 第13-16页 |
| ·磁性来源理论 | 第13-14页 |
| ·ZnO 稀磁半导体纳米线概述 | 第14-16页 |
| ·本论文选题意义及内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-22页 |
| 第二章 理论方法 | 第22-34页 |
| ·基于密度泛函理论的第一性原理计算 | 第22-27页 |
| ·Born-Oppenheimer 近似和 Hartree-Fock 近似 | 第22-23页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第23-25页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第25-26页 |
| ·交换关联泛函 | 第26-27页 |
| ·赝势 | 第27页 |
| ·VASP 软件包的介绍 | 第27-32页 |
| ·VASP 主要的功能 | 第28-29页 |
| ·VASP 基本原理 | 第29-30页 |
| ·VASP 计算流程 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第三章 SiC/AlN 核壳纳米线量子限制效应的第一性原理研究 | 第34-42页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·理论方法 | 第34-35页 |
| ·计算结果及讨论 | 第35-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第四章 Gd 掺杂 ZnO 纳米线磁耦合性质的第一性原理研究 | 第42-50页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·理论方法 | 第43页 |
| ·计算结果及讨论 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第五章 结论与展望 | 第50-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
