| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-24页 |
| ·选题背景及意义 | 第13-14页 |
| ·同类研究工作国内外研究现状分析 | 第14-18页 |
| ·氢化非晶硅薄膜制备技术的研究现状 | 第14-15页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术研究现状 | 第15-16页 |
| ·单磁场线圈 MWECR CVD 沉积a-Si:H 薄膜研究现状及存在的问题 | 第16页 |
| ·氢化非晶硅薄膜光电特性的研究 | 第16-17页 |
| ·大面积均匀氢化非晶硅薄膜制备的研究 | 第17-18页 |
| ·相关测试手段和方法的研究 | 第18-22页 |
| ·红外分析技术的应用和研究 | 第18页 |
| ·紫外测试技术及应用研究 | 第18-19页 |
| ·拉曼测试技术及应用研究 | 第19-20页 |
| ·暗电导激活能测试原理 | 第20-22页 |
| ·课题来源及研究内容 | 第22-23页 |
| ·本文结构 | 第23-24页 |
| 第2章 单磁场线圈 MWECR CVD 系统磁场梯度对沉积氢化非晶硅薄膜的影响 | 第24-41页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·单磁场线圈 MWECR CVD 沉积系统结构 | 第25-26页 |
| ·单磁场线圈 MWECR CVD 沉积系统设计原理 | 第26-29页 |
| ·微波输入窗的设计 | 第26-28页 |
| ·组合磁场的设计 | 第28-29页 |
| ·磁场梯度对沉积氢化非晶薄膜的影响 | 第29-30页 |
| ·磁场分布改变 | 第29-30页 |
| ·氢化非晶薄膜制备及测量 | 第30页 |
| ·结果 | 第30-38页 |
| ·磁场分布和磁场梯度 | 第30-35页 |
| ·氢化非晶薄膜特性 | 第35-38页 |
| ·讨论 | 第38-39页 |
| ·磁场梯度大情况下制备a-Si:H 薄膜沉积速率大的原因 | 第38-39页 |
| ·沉积速率与温度的关系 | 第39页 |
| ·磁场梯度影响制备的a-Si:H 薄膜光敏性的原因 | 第39页 |
| ·磁场梯度对沉积速率的均匀性的影响 | 第39页 |
| 本章小结 | 第39-41页 |
| 第3章 氢化非晶硅薄膜红外透射谱分析及氢含量 | 第41-53页 |
| ·引言 | 第41-43页 |
| ·样品制备和测试 | 第43-44页 |
| ·氢含量计算 | 第44-46页 |
| ·红外透射谱的基线拟合 | 第44-45页 |
| ·红外吸收谱 | 第45页 |
| ·氢含量计算 | 第45-46页 |
| ·结果与分析 | 第46-50页 |
| ·结果 | 第46-48页 |
| ·分析 | 第48-50页 |
| ·组分分析 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 用 HW-MWECR CVD 系统沉积大面积均匀氢化非晶硅薄膜的研究 | 第53-64页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·HW-MWECR CVD 系统 | 第53-55页 |
| ·氢化非晶硅的紫外-可见光透射谱 | 第55页 |
| ·氢化非晶硅薄膜的制备及测试 | 第55-56页 |
| ·结果与分析 | 第56-63页 |
| ·厚度不均匀性 | 第56-61页 |
| ·结构不均匀性 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 用MWECR CVD 系统制备氢化非晶/微晶硅薄膜 | 第64-73页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·样品制备 | 第64-65页 |
| ·薄膜的拉曼谱分析 | 第65-70页 |
| ·拉曼散射的经典解释 | 第65-66页 |
| ·拉曼散射谱结果 | 第66-70页 |
| ·微晶硅薄膜的光电特性 | 第70-72页 |
| ·微晶硅薄膜的光敏性 | 第70-71页 |
| ·载流子迁移率与寿命乘积 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第6章 用LBL 技术制备微晶硅薄膜的研究 | 第73-83页 |
| ·引言 | 第73页 |
| ·样品制备和测试 | 第73-74页 |
| ·结果与讨论 | 第74-81页 |
| ·暗电导测试结果 | 第74-75页 |
| ·拉曼散射谱测试结果 | 第75-76页 |
| ·红外吸收谱结果 | 第76-79页 |
| ·光吸收系数与氢含量结果 | 第79页 |
| ·光电导衰退结果 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第7章 用热丝辅助 MWECR CVD 方法制备纳米非晶硅薄膜的研究 | 第83-91页 |
| ·引言 | 第83页 |
| ·样品制备 | 第83-84页 |
| ·结果与分析 | 第84-90页 |
| ·拉曼散射谱测试结果 | 第84-86页 |
| ·光学带隙测试结果 | 第86-87页 |
| ·红外吸收谱测试结果 | 第87-89页 |
| ·光电导和暗电导测试结果 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 第8章 氢化非晶硅薄膜在氢气环境下同时进行热退火和光诱导退火的研究 | 第91-105页 |
| ·引言 | 第91页 |
| ·实验 | 第91-93页 |
| ·样品制备 | 第91-93页 |
| ·样品退火 | 第93页 |
| ·结果与讨论 | 第93-103页 |
| ·光电导衰退扩展指数参数 | 第93-97页 |
| ·红外吸收谱与氢含量 | 第97-99页 |
| ·光学带隙 | 第99-101页 |
| ·光荧光光谱 | 第101页 |
| ·光敏性结果 | 第101-102页 |
| ·暗电导激活能结果 | 第102-103页 |
| ·本章小结 | 第103-105页 |
| 结论 | 第105-109页 |
| 参考文献 | 第109-117页 |
| 攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
