| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| ·稀磁半导体 | 第12-21页 |
| ·自旋电子学 | 第12-13页 |
| ·稀磁半导体材料的简介 | 第13-14页 |
| ·物质磁性的分类 | 第14-16页 |
| ·稀磁半导体磁性来源的基础理论 | 第16-21页 |
| ·碳化硅的结构、性质及应用 | 第21-23页 |
| ·SiC 晶体结构 | 第21-22页 |
| ·SiC 晶体的基本性质及应用 | 第22-23页 |
| ·SiC 基稀磁半导体材料的研究进展 | 第23-24页 |
| ·本文研究的目的和意义 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-28页 |
| 第二章 实验材料、设备及测试方法 | 第28-36页 |
| ·实验材料 | 第28页 |
| ·实验设备 | 第28页 |
| ·实验表征方法 | 第28-34页 |
| ·X 射线衍射仪(XRD) | 第28-29页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第29页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第29-30页 |
| ·X 射线光电子能谱仪(XPS) | 第30-31页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第31页 |
| ·磁光克尔效应(MOKE) | 第31页 |
| ·正电子湮没谱学(PAS) | 第31-33页 |
| ·超导量子干涉仪(SQUID) | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 Fe 掺杂 SiC 纳米线的微结构和磁性研究 | 第36-50页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验设计 | 第37-38页 |
| ·Fe 掺杂 3C-SiC 纳米线的实验结果与分析 | 第38-44页 |
| ·样品的 X 射线衍射分析 | 第38页 |
| ·样品的 X 射线光电子能谱分析 | 第38-39页 |
| ·样品的形貌和微结构分析 | 第39-41页 |
| ·样品的磁性分析 | 第41-43页 |
| ·生长机制与铁磁性机理分析 | 第43-44页 |
| ·本章结论 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 第四章 N 离子注入 6H-SiC 单晶的微结构与磁性研究 | 第50-62页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·实验设计 | 第51-53页 |
| ·N 离子注入 6H-SiC 单晶的实验结果与分析 | 第53-57页 |
| ·样品的 X 射线衍射分析 | 第53页 |
| ·样品的表面形貌分析 | 第53-54页 |
| ·样品的正电子湮灭谱分析 | 第54-56页 |
| ·样品的磁性分析 | 第56-57页 |
| ·本章结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 第五章 Cu 离子注入 6H-SiC 单晶的微结构与磁性研究 | 第62-70页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·实验设计 | 第62-63页 |
| ·Cu 离子注入 6H-SiC 单晶的实验结果与分析 | 第63-67页 |
| ·样品的 X 射线衍射分析 | 第63-64页 |
| ·样品的 X 射线光电子能谱分析 | 第64页 |
| ·样品的正电子湮灭寿命谱分析 | 第64-65页 |
| ·样品的磁性分析 | 第65-66页 |
| ·样品的磁光克尔效应分析 | 第66-67页 |
| ·本章结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 硕士期间发表的学术论文 | 第71-72页 |
