| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 序 | 第8-11页 |
| 1、引言 | 第11-21页 |
| ·光伏产业概况 | 第11-16页 |
| ·我国光伏产业的形势 | 第13-14页 |
| ·晶体硅太阳能电池产业链情况 | 第14-15页 |
| ·光伏产业发展前景 | 第15-16页 |
| ·太阳能电池技术 | 第16-20页 |
| ·太阳能电池工作的原理 | 第16页 |
| ·太阳能电池的种类 | 第16-20页 |
| ·本文的研究内容及意义 | 第20-21页 |
| 2、晶体硅太阳能电池工艺 | 第21-33页 |
| ·制绒工艺 | 第21-23页 |
| ·扩散制PN结 | 第23-25页 |
| ·边缘刻蚀及去磷硅玻璃 | 第25-27页 |
| ·PECVD减反射膜 | 第27页 |
| ·丝网印刷电极 | 第27-29页 |
| ·烧结 | 第29-30页 |
| ·测试分选 | 第30-33页 |
| 3、PECVD减反射膜技术 | 第33-49页 |
| ·减反射膜的工作原理 | 第33-34页 |
| ·几种减反射膜的介绍 | 第34-37页 |
| ·减反射膜的钝化机制 | 第37-41页 |
| ·PECVD设备 | 第41-49页 |
| ·PECVD设备分类 | 第41-45页 |
| ·工业生产线PECVD设备 | 第45-47页 |
| ·晶体硅太阳能电池PECVD设备发展趋势 | 第47-49页 |
| 4、产线上常规问题的解决及日常维护 | 第49-53页 |
| ·在常规产线上PECVD的工艺流程 | 第49-50页 |
| ·工业生产线PECVD工艺段设备维护 | 第50-51页 |
| ·产线常见工艺问题及解决 | 第51-53页 |
| 5、工艺参数对氧化硅、氮化硅膜质量的影响 | 第53-63页 |
| ·三种主要的测试仪器 | 第53-56页 |
| ·工艺参数对SiNx膜的影响 | 第56-59页 |
| ·氨气和硅烷流量比对SiNx膜质量的影响 | 第56-57页 |
| ·气体流量比对少子寿命的影响 | 第57-58页 |
| ·淀积时间对膜厚的影响 | 第58-59页 |
| ·工艺参数对SiO_2膜质量的影响 | 第59-62页 |
| ·N_2O/SiH_4流量比对折射率的影响 | 第59-60页 |
| ·气体流量比对少子寿命的影响 | 第60-61页 |
| ·沉积时间对膜厚的影响 | 第61-62页 |
| ·全章小结 | 第62-63页 |
| 6、SiO_2-SiNx双层减反射膜膜层结构的研究 | 第63-77页 |
| ·SiO_2-S iNx双层减反射膜的可行性 | 第63-64页 |
| ·SiO_2-S iNx双层减反射膜的结构研究 | 第64-71页 |
| ·SiNx双层减反射膜和SiO_2-SiNx双层减反射膜的性能比较 | 第71-75页 |
| ·不同减反射膜结构对钝化效果的影响 | 第71-73页 |
| ·不同减反射膜结构对减反射效果的影响 | 第73-74页 |
| ·不同减反射膜结构对电池发电性能的影响 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 7 总结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 作者简历 | 第81-85页 |
| 学位论文数据集 | 第85页 |