| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| ·研究背景 | 第12-16页 |
| ·铁电/半导体集成薄膜的研究概况 | 第16-22页 |
| ·铁电/半导体集成薄膜应用中存在的问题 | 第22-25页 |
| ·LN 铁电材料 | 第25-34页 |
| ·LN 材料的结构与性能概述 | 第26-31页 |
| ·LN 集成薄膜的研究现状 | 第31-34页 |
| ·本论文的选题和研究内容 | 第34-36页 |
| 第二章 试验方法与理论基础 | 第36-48页 |
| ·LN 薄膜的制备方法 | 第36-37页 |
| ·微观结构表征方法 | 第37-40页 |
| ·X 射线衍射技术 | 第37页 |
| ·原子力显微镜 | 第37-38页 |
| ·透射电子显微镜 | 第38-39页 |
| ·反射式高能电子衍射技术 | 第39-40页 |
| ·电性能测试方法 | 第40-43页 |
| ·C-V 性质 | 第40-41页 |
| ·I-V 性质 | 第41页 |
| ·Hall 效应 | 第41-43页 |
| ·理论基础 | 第43-48页 |
| ·铁电极化模型 | 第43-45页 |
| ·载流子和电势分布 | 第45-48页 |
| 第三章 LN/GaN 集成薄膜的制备与电性能研究 | 第48-79页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·LN 薄膜的生长与组分控制 | 第49-55页 |
| ·LN/GaN 集成薄膜的制备与微观结构特征 | 第55-58页 |
| ·LN/AlGaN/GaN 集成薄膜的电荷俘获效应 | 第58-64页 |
| ·LN/GaN 集成薄膜的铁电极化调制效应 | 第64-74页 |
| ·LN/n-GaN 集成薄膜的铁电极化调制效应 | 第64-72页 |
| ·铁电极化对 2DEG 的调制效应 | 第72-74页 |
| ·LN 薄膜的择优取向铁电极化特征 | 第74-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第四章 LN/AlGaN/GaN 场效应管器件的研制与界面修饰作用 | 第79-99页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·LN/AlGaN/GaN 器件“常关”效应 | 第80-82页 |
| ·LN/AlGaN/GaN 场效应管器件的试验研制 | 第82-86页 |
| ·LN/AlGaN/GaN 场效应管器件的电性能 | 第86-89页 |
| ·LN/AlGaN/GaN 增强型器件的界面修饰与性能优化 | 第89-98页 |
| ·ZnO 纳米层的界面修饰效应 | 第90-94页 |
| ·LN/ZnO/AlGaN/GaN 器件的研制 | 第94-95页 |
| ·ZnO 纳米层对器件性能的优化 | 第95-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 第五章 LN/Si 集成薄膜的制备与电性能研究 | 第99-123页 |
| ·引言 | 第99-100页 |
| ·LN/Si 集成薄膜的制备与界面特征 | 第100-104页 |
| ·LN/Si 集成薄膜的电性能 | 第104-107页 |
| ·LN/Si 集成薄膜的光电开关效应 | 第107-112页 |
| ·LN/Si 光电开关特征的影响因素 | 第112-117页 |
| ·Li 空位的影响 | 第112-114页 |
| ·缓冲层厚度的影响 | 第114-116页 |
| ·衬底载流子类型的影响 | 第116-117页 |
| ·光电响应特征产生机理 | 第117-122页 |
| ·本章小结 | 第122-123页 |
| 第六章 结论、创新点与展望 | 第123-126页 |
| ·主要结论 | 第123-124页 |
| ·主要创新点 | 第124页 |
| ·展望 | 第124-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-141页 |
| 攻读博士期间取得的成果 | 第141-143页 |
