超快光电导开关非线性工作模式稳定性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·光电导开关的发展与研究现状 | 第9-11页 |
| ·光电导开关的发展 | 第9-10页 |
| ·光电导开关的研究现状 | 第10-11页 |
| ·光电导开关的基本结构及工作模式 | 第11-13页 |
| ·光电导开关的基本结构 | 第11-12页 |
| ·光导开关的工作模式 | 第12-13页 |
| ·本文研究主要内容 | 第13-15页 |
| 2 GaAs材料及其器件物理性能 | 第15-24页 |
| ·GaAs光电导开关材料 | 第15-17页 |
| ·GaAs材料在高场中的效应 | 第17-20页 |
| ·负微分迁移效应 | 第17-19页 |
| ·碰撞电离效应 | 第19-20页 |
| ·电荷畴的形成 | 第20页 |
| ·GaAs材料的光电导特性 | 第20-23页 |
| ·半导体材料的光吸收特性 | 第20-22页 |
| ·单能级的产生、复合和俘获过程 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 3 光电导开关非线性工作机理及稳定性 | 第24-39页 |
| ·光电导开关的线性工作模式 | 第24-28页 |
| ·光脉冲作用下的载流子分布 | 第25-26页 |
| ·光电导开关电导及其它的性能参数 | 第26-28页 |
| ·光电导开关的非线性工作模式 | 第28-30页 |
| ·丝状电流 | 第29页 |
| ·延迟效应 | 第29-30页 |
| ·光电导开关非线性工作模式理论研究 | 第30-38页 |
| ·研究现状 | 第30-32页 |
| ·非线性光电导开关的导通机制 | 第32-35页 |
| ·光电导开关中畴的生长和导通机制 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 4 光电导开关非线性工作模式稳定性实验研究 | 第39-51页 |
| ·实验方法 | 第39-40页 |
| ·实验过程 | 第40-41页 |
| ·对于激发光波长为1064nm的实验过程 | 第40-41页 |
| ·对于激发光波长为532nm的实验过程 | 第41页 |
| ·实验结果和分析 | 第41-49页 |
| ·激发光波长为1064nm的实验结果及分析 | 第41-46页 |
| ·激发光波长为532nm的实验结果及分析 | 第46-48页 |
| ·延迟效应分析 | 第48-49页 |
| ·光电导开关非线性工作模式稳定性条件 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 5 全文总结 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 附录 | 第58页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第58页 |
