| 目录 | 第1-9页 |
| CONTENTS | 第9-13页 |
| 摘要 | 第13-17页 |
| ABSTRACT | 第17-22页 |
| 第一章 绪论 | 第22-52页 |
| ·半导体光催化技术 | 第22-25页 |
| ·半导体光催化作用的基本原理 | 第22-23页 |
| ·半导体光催化技术的发展 | 第23-24页 |
| ·挑战和机遇 | 第24-25页 |
| ·半导体能带工程 | 第25-32页 |
| ·价带修饰 | 第25-27页 |
| ·导带调控 | 第27-29页 |
| ·价带和导带的连续调控 | 第29-30页 |
| ·掺杂改性的理论研究 | 第30-32页 |
| ·存在的问题和本论文的研究内容 | 第32-35页 |
| ·半导体能带工程中存在的问题 | 第32-33页 |
| ·本论文的核心思想和研究路线 | 第33页 |
| ·研究内容简介 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-52页 |
| 第二章 基本理论方法及其应用 | 第52-70页 |
| ·材料理论模拟的研究意义 | 第52页 |
| ·密度泛函理论基础 | 第52-62页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第56-58页 |
| ·局域密度近似 | 第58-60页 |
| ·广义梯度近似 | 第60-61页 |
| ·自洽场计算 | 第61-62页 |
| ·CASTEP软件简介 | 第62-65页 |
| ·DMol~3软件简介 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第三章 碱金属与碱土金属掺杂h-WO_3可见光催化性能的实验和理论研究 | 第70-88页 |
| 摘要 | 第70页 |
| ·背景介绍 | 第70-71页 |
| ·计算参数 | 第71-72页 |
| ·结果与讨论 | 第72-82页 |
| ·碱金属掺杂h-WO_3 | 第72-78页 |
| ·碱土金属掺杂h-WO_3 | 第78-82页 |
| ·结论 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 第四章 过渡金属掺杂CeO_2(111)表面的理论研究：掺杂元素电负性与表面氧活性的关系 | 第88-102页 |
| 摘要 | 第88页 |
| ·背景介绍 | 第88-89页 |
| ·计算参数 | 第89-90页 |
| ·结果讨论 | 第90-96页 |
| ·Ti、Zr掺杂CeO_2(111)表面结构 | 第90-92页 |
| ·Mn掺杂CeO_2(111)表面结构 | 第92-94页 |
| ·Cu和Co掺杂CeO_2(111)表面结构 | 第94-95页 |
| ·Tb掺杂CeO_2(111)表面结构 | 第95-96页 |
| ·结论 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-102页 |
| 第五章 氟掺杂钨酸锌光催化性能的实验和理论研究 | 第102-122页 |
| 摘要 | 第102页 |
| ·背景介绍 | 第102-103页 |
| ·实验步骤和计算参数 | 第103-105页 |
| ·实验步骤和样品表征 | 第103-104页 |
| ·计算参数和模型 | 第104-105页 |
| ·结果和讨论 | 第105-114页 |
| ·F间隙掺杂ZnWO_4纳米光催化剂及其光催化性能 | 第105-108页 |
| ·F取代和间隙掺杂改性ZnWO_4光催化性能的理论研究 | 第108-114页 |
| ·结论 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-122页 |
| 第六章 N掺杂ZnGa_2O_4可见光催化性能的理论与实验研究：N掺杂的自钝化形式与机制 | 第122-142页 |
| 摘要 | 第122页 |
| ·背景介绍 | 第122-123页 |
| ·实验步骤和计算参数 | 第123-125页 |
| ·实验步骤和样品表征 | 第123-124页 |
| ·计算参数和模型 | 第124-125页 |
| ·结果和讨论 | 第125-136页 |
| ·N掺杂ZnGa_2O_4纳米光催化剂的制备和性能表征 | 第125-126页 |
| ·N掺杂改性ZnGa_2O_4可见光催化活性的理论研究 | 第126-136页 |
| ·结论 | 第136-137页 |
| 参考文献 | 第137-142页 |
| 第七章 (N,C)共掺杂ZnS可见光催化性能的理论研究 | 第142-162页 |
| 摘要 | 第142页 |
| ·背景介绍 | 第142-144页 |
| ·计算细节和几何模型 | 第144-145页 |
| ·结果和讨论 | 第145-156页 |
| ·单一的N或者C掺杂ZnS | 第145-150页 |
| ·N+C共掺杂ZnS | 第150-155页 |
| ·2N_s+C_i共掺杂ZnS | 第155-156页 |
| ·结论 | 第156-158页 |
| 参考文献 | 第158-162页 |
| 第八章 N与VA族元素(P、As、Sb、Bi)共掺杂ZnGa_2O_4可见光催化活性的理论研究 | 第162-180页 |
| 摘要 | 第162页 |
| ·背景介绍 | 第162-164页 |
| ·计算细节和几何模型 | 第164页 |
| ·结果和讨论 | 第164-175页 |
| ·VA族元素掺杂 | 第164-169页 |
| ·2N_s+VA族元素共掺杂 | 第169-175页 |
| ·结论 | 第175-176页 |
| 参考文献 | 第176-180页 |
| 第九章 总结与展望 | 第180-184页 |
| ·本论文的主要结论 | 第180-182页 |
| ·本论文的主要创新点 | 第182-183页 |
| ·展望 | 第183-184页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和参与的科研项目 | 第184-186页 |
| 致谢 | 第186-188页 |
| 附件 | 第188-204页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第204页 |
