电光取样材料性能对THz光谱探测的影响

摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
第一章 引言	第10-20页
·论文的研究背景	第10-13页
·THz 辐射的产生	第13-15页
·光导激发机制	第13页
·光整流效应	第13-14页
·半导体表面场效应	第14-15页
·THz 辐射的探测	第15-16页
·THz 探测晶体的国内外研究现状	第16-18页
·载流子寿命的研究意义	第18页
·本论文的主要工作及其意义	第18-20页
第二章 探测晶体性能对THz 探测的影响	第20-34页
·物理机制及相关公式介绍	第20-23页
·色散影响	第23-27页
·反射造成的影响	第27-30页
·探测脉冲对THz 脉冲波形的影响	第30-32页
·探测脉冲持续时间对光谱探测的影响	第30-31页
·探测脉冲的强度对探测的影响	第31-32页
·本章总结	第32-34页
第三章 高频THz 脉冲的探测	第34-41页
·不同探测晶体探测性能的研究	第34-39页
·ZnTe 晶体与GaP 晶体探测性能的比较	第34-37页
·GaAs 晶体探测性能的模拟	第37-38页
·InP 晶体探测性能的模拟	第38-39页
·几种探测晶体高频探测能力的比较	第39-40页
·本章小节	第40-41页
第四章 对于载流子寿命的研究	第41-49页
·载流子寿命概述	第41-42页
·载流子超快动力学过程	第42-45页
·与THz 脉冲产生相关的超快过程	第45-46页
·实验装置	第46-47页
·实验结果及分析	第47-48页
·本章小节	第48-49页
第五章 结论	第49-50页
参考文献	第50-53页
在校期间发表学术论文情况	第53-54页
致谢	第54-55页