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掺杂AlN的理论与实验研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
1 绪言第10-25页
   ·研究背景第10-11页
   ·AlN的结构与特性第11-12页
   ·半导体掺杂第12-16页
   ·稀磁半导体第16-20页
   ·稀土掺杂AlN发光材料研究进展第20-23页
   ·本论文立题依据及研究内容概述第23-25页
2 理论基础第25-47页
   ·第一性原理计算的重要意义第25-26页
   ·多粒子系统的薛定谔方程第26-36页
   ·赝势方法简介第36-38页
   ·APW方法介绍第38-42页
   ·线性缀加平面波(LAPW)方法第42-45页
   ·APW+lo方法第45-47页
3 AlN及其p-型掺杂效率的理论研究第47-61页
   ·引言第47-48页
   ·计算方法第48-50页
   ·本征AlN的几何、电子结构第50-52页
   ·AlN的本征缺陷研究第52-55页
   ·ⅡA元素掺杂AlN的研究第55-59页
   ·小结第59-61页
4 ⅡA元素掺杂AlN基稀磁半导体研究第61-74页
   ·引言第61-62页
   ·计算方法第62-63页
   ·Mg掺杂AlN能带结构的计算第63-66页
   ·Ca掺杂AlN的磁性研究第66-70页
   ·Cr掺杂AlP的磁性研究第70-72页
   ·小结第72-74页
5 稀土掺杂AlN的发光特性研究第74-104页
   ·引言第74页
   ·AlN薄膜的制备和分析第74-84页
   ·Er掺杂AlN的发光特性研究第84-91页
   ·Eu掺杂AlN的发光特性研究第91-97页
   ·Tm掺杂AlN的发光特性研究第97-100页
   ·AlN中O污染的理论研究第100-102页
   ·本章小结第102-104页
6 结论与展望第104-107页
致谢第107-108页
参考文献第108-121页
附录1 博士学位期间发表论文目录第121页

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