| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-18页 |
| ·集成电路的发展概况 | 第14页 |
| ·红外系统的发展概况 | 第14-16页 |
| ·红外探测器的发展概况 | 第14-15页 |
| ·读出电路的发展历史 | 第15-16页 |
| ·课题的内容及意义 | 第16-18页 |
| 第二章 基准源的设计及版图验证 | 第18-35页 |
| ·简单的基准源的介绍 | 第18-22页 |
| ·基准源的电路设计及分析 | 第22-25页 |
| ·设计电路的说明 | 第22-25页 |
| ·集成电路版图设计的基础知识 | 第25-27页 |
| ·MOS集成电路的工艺设计 | 第27-28页 |
| ·CMOS工艺设计中阱工艺的选择 | 第28-29页 |
| ·N阱工艺 | 第28页 |
| ·P阱工艺 | 第28页 |
| ·双阱工艺 | 第28-29页 |
| ·集成电路版图设计规则 | 第29-31页 |
| ·版图的层次 | 第29-30页 |
| ·版图的分析和检验 | 第30-31页 |
| ·本设计的版图 | 第31-35页 |
| 第三章 红外读出电路的相关知识 | 第35-42页 |
| ·红外探测器的分类 | 第36-37页 |
| ·热敏(型)红外探测器 | 第37页 |
| ·光子(型)探测器 | 第37页 |
| ·红外焦平面阵列的分类 | 第37-39页 |
| ·CMOS读出电路独特的具体要求 | 第39-42页 |
| ·电荷存储能力 | 第39页 |
| ·积分时间 | 第39页 |
| ·噪声 | 第39-40页 |
| ·动态范围 | 第40页 |
| ·读出速率 | 第40页 |
| ·工作温度 | 第40页 |
| ·功耗 | 第40页 |
| ·辐射强度 | 第40页 |
| ·探测器偏压控制 | 第40页 |
| ·像元和阵列的面积 | 第40-42页 |
| 第四章 288×4高性能红外焦平面读出电路的设计及仿真 | 第42-69页 |
| ·红外焦平面阵列读出电路工作原理 | 第42-43页 |
| ·典型 CMOS读出电路结构 | 第43-46页 |
| ·自积分型读出电路(SI ROIC) | 第43-44页 |
| ·源随器型读出电路(SFD ROIC) | 第44页 |
| ·直接注入读出电路(DI ROIC) | 第44-45页 |
| ·反馈增强直接注入读出电路(FEDI ROIC) | 第45页 |
| ·电流镜栅调制读出电路(CM ROIC) | 第45页 |
| ·电阻负载栅调制读出电路(RL ROIC) | 第45页 |
| ·电容反馈跨阻抗放大器(CTIA ROIC) | 第45页 |
| ·电阻反馈跨阻放大器(RTIA ROIC) | 第45-46页 |
| ·288×4读出电路总体设计 | 第46-49页 |
| ·读出电路模拟部分设计 | 第49-59页 |
| ·像元结构设计 | 第50-53页 |
| ·旁路测试和扫描方向控制设计 | 第53-54页 |
| ·时间延迟电路设计 | 第54-55页 |
| ·移位寄存器设计 | 第55页 |
| ·积分放大器设计 | 第55-57页 |
| ·输出缓冲器设计 | 第57页 |
| ·读出电路单通道模拟仿真 | 第57-59页 |
| ·数字部分电路设计 | 第59-64页 |
| ·读出电路的噪声和功耗 | 第64-66页 |
| ·288×4 CMOS读出集成电路版图 | 第66-69页 |
| 第五章 红外焦平面阵列的性能分析 | 第69-79页 |
| ·红外探测器的噪声 | 第69-72页 |
| ·热噪声 | 第69-70页 |
| ·散粒噪声 | 第70页 |
| ·产生—复合噪声 | 第70页 |
| ·光子噪声 | 第70页 |
| ·温度噪声 | 第70-71页 |
| ·1/f噪声 | 第71-72页 |
| ·探测器阵列噪声 | 第72页 |
| ·读出电路的噪声 | 第72-74页 |
| ·MOS管的固有噪声 | 第72页 |
| ·MOS管的开关噪声 | 第72-73页 |
| ·KTC噪声 | 第73-74页 |
| ·固定图形噪声 | 第74页 |
| ·直接注入读出电路的非均匀性讨论 | 第74-79页 |
| ·短沟道效应 | 第75页 |
| ·静电反馈效应 | 第75-76页 |
| ·窄沟道效应 | 第76页 |
| ·电流镜的误差分析 | 第76-79页 |
| 结论 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-81页 |