| 摘 要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第11-52页 |
| ·多孔材料的分类 | 第11-19页 |
| ·中孔材料 | 第11-12页 |
| ·中孔分子筛的合成机理 | 第12-17页 |
| ·液晶模板机理 | 第12-13页 |
| ·硅酸盐棒状胶束组装 | 第13-14页 |
| ·电荷密度匹配 | 第14-15页 |
| ·硅酸液晶机理 | 第15-16页 |
| ·协同自组装液晶相模板机理 | 第16-17页 |
| ·中孔分子筛的合成路线 | 第17-19页 |
| ·多孔碳材料的研究进展 | 第19-39页 |
| ·多孔碳材料的合成方法 | 第20-39页 |
| ·以纳米硅球或相关纳米结构的硅材料作为模板来合成纳米孔的碳材料 | 第20-25页 |
| ·以沸石为模板合成有序的微孔碳材料 | 第25-27页 |
| ·以中孔硅材料作为模板来合成有序中孔碳材料 | 第27-38页 |
| ·液相法 | 第27-36页 |
| ·气相法 | 第36-38页 |
| ·以纳米硅球和中孔分子筛同时作模板 | 第38-39页 |
| ·表面活性剂简介 | 第39-41页 |
| ·表面活性剂分子在水溶液中的形态 | 第39-40页 |
| ·表面活性剂分子合成中孔材料的形态 | 第40-41页 |
| ·课题的提出 | 第41-43页 |
| ·实验方案的设计 | 第41-42页 |
| ·拟采用的实验方案 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-52页 |
| 第二章 实验总述 | 第52-57页 |
| ·主要原料 | 第52-53页 |
| ·分子筛的合成方法 | 第53页 |
| ·样品的物理化学性质表征 | 第53-54页 |
| ·XRD | 第53页 |
| ·氮气物理吸附 | 第53-54页 |
| ·SEM | 第54页 |
| ·TEM | 第54页 |
| ·热分析 | 第54页 |
| ·傅里叶变换红外（FTIR）光谱表征 | 第54页 |
| ·碳化实验 | 第54-56页 |
| ·碳化操作 | 第54-55页 |
| ·碳化装置图 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第三章 在常温、强酸性条件下，各种添加剂对中孔氧化硅结构的影响 | 第57-86页 |
| 引言 | 第57-58页 |
| ·中孔氧化硅的制备 | 第58-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-74页 |
| ·合成体系中加入乙醇对中孔氧化硅性质的影响 | 第59-63页 |
| ·XRD 表征 | 第59-61页 |
| ·物理吸附表征 | 第61-62页 |
| ·透射电镜表征（TEM） | 第62-63页 |
| ·合成体系中加入各种含有不同价态阴离子的无机盐对中孔氧化硅性质的影响 | 第63-71页 |
| ·XRD 表征 | 第63-68页 |
| ·物理吸附表征 | 第68-70页 |
| ·透射电镜表征（TEM） | 第70-71页 |
| ·在体系中引入蔗糖得到的中孔氧化硅 | 第71-74页 |
| ·XRD 表征 | 第71-72页 |
| ·物理吸附表征 | 第72-73页 |
| ·扫描电镜表征（SEM） | 第73-74页 |
| ·透射电镜表征（TEM） | 第74页 |
| ·对各种添加剂对中孔氧化硅结构性能的影响的机理的探索 | 第74-79页 |
| ·各种不同价态的无机盐阴离子加入对中孔氧化硅结构影响的探讨 | 第74-77页 |
| ·乙醇的加入对中孔氧化硅结构影响的探讨 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 第四章 以含表面活性剂的中孔氧化硅为原料，合成碳／氧化硅复合材料及其结构研究 | 第86-121页 |
| 引言 | 第86-87页 |
| ·碳／氧化硅复合材料的制备 | 第87-88页 |
| ·结果与讨论 | 第88-111页 |
| ·原位碳化中孔二氧化硅(自制)，合成碳／氧化硅复合材料 | 第88-93页 |
| ·XRD 表征 | 第89-90页 |
| ·透射电镜表征（TEM） | 第90-91页 |
| ·物理吸附表征（BET） | 第91-92页 |
| ·热重表征（TGA） | 第92-93页 |
| ·使用不同的浓硫酸量制备carbon/SBA-15 材料 | 第93-106页 |
| ·XRD 表征 | 第93-96页 |
| ·物理吸附表征 | 第96-99页 |
| ·FTIR 表征 | 第99-101页 |
| ·热重分析表征（TG） | 第101页 |
| ·扫描电镜表征（SEM） | 第101-104页 |
| ·透射电镜表征（TEM） | 第104-106页 |
| ·焙烧温度的影响 | 第106-111页 |
| ·XRD 表征 | 第106-109页 |
| ·氮气物理吸附表征 | 第109-111页 |
| ·焙烧时间的影响 | 第111页 |
| ·XRD 表征 | 第111页 |
| ·硫酸预处理与随后氮气气氛中焙烧后，产品扩孔机理的探讨 | 第111-115页 |
| ·本章小结 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-121页 |
| 第五章 使用模板法，仅以结构导向剂作碳源合成两维和三维结构的碳材料 | 第121-140页 |
| 引言 | 第121-122页 |
| ·碳材料的制备 | 第122-123页 |
| ·两维类碳纳米管材料的制备 | 第122-123页 |
| ·三维中孔碳分子筛材料的制备 | 第123页 |
| ·结果与讨论 | 第123-136页 |
| ·以含模板剂的MCM-41 为模板合成类碳纳米管材料 | 第124-131页 |
| ·XRD 表征 | 第124-126页 |
| ·透射电镜表征（TEM） | 第126-127页 |
| ·热重表征（TGA） | 第127-128页 |
| ·物理吸附表征 | 第128-131页 |
| ·以含模板剂的SBA-15 为模板合成中孔碳材料 | 第131-136页 |
| ·XRD 表征 | 第131-132页 |
| ·物理吸附表征 | 第132-134页 |
| ·透射电镜表征（TEM） | 第134-136页 |
| ·本章小结 | 第136-137页 |
| 参考文献 | 第137-140页 |
| 第六章 发展一种调变中孔碳材料孔径的新方法 | 第140-151页 |
| 引言 | 第140-141页 |
| ·中孔碳材料的制备 | 第141-142页 |
| ·结果与讨论 | 第142-149页 |
| ·XRD 表征 | 第142-144页 |
| ·热重表征（TGA） | 第144页 |
| ·氮气物理吸附表征 | 第144-148页 |
| ·透射电镜表征（TEM） | 第148-149页 |
| ·本章小结 | 第149-150页 |
| 参考文献 | 第150-151页 |
| 第七章 结论与展望 | 第151-155页 |
| ·结论 | 第151-153页 |
| ·展望 | 第153-155页 |
| 附录 | 第155-163页 |
| 第八章 使用原位FTIR 表征单壁碳纳米管吸氢的行为 | 第155-163页 |
| ·材料的制备和原位吸氢实验条件 | 第156-157页 |
| ·单壁碳纳米管和负载型单壁碳纳米管的制备 | 第156页 |
| ·原位吸氢实验条件 | 第156-157页 |
| ·原位FTIR 谱图分析 | 第157-160页 |
| ·单壁碳纳米管吸氢的FTIR 谱图 | 第157-158页 |
| ·负载Pd 的单壁碳纳米管吸氢的FTIR 谱图 | 第158-160页 |
| ·本章小结 | 第160页 |
| 参考文献 | 第160-163页 |
| 作者简介 | 第163页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和专利 | 第163-166页 |
| 致谢 | 第166页 |
