| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 目录 | 第4-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-25页 |
| ·论文研究动机及章节安排 | 第7-8页 |
| ·本文研究动机 | 第7页 |
| ·本文结构和主要工作 | 第7-8页 |
| ·用于射频前端的 FBAR介绍 | 第8-17页 |
| ·射频前端双工器 | 第8-9页 |
| ·用于 FDD的射频带通滤波器 | 第9-15页 |
| ·介质滤波器，声表面波滤波器简介和发展 | 第10-11页 |
| ·薄膜声体波滤波器(FBAR)及其工作原理 | 第11-15页 |
| ·FBAR技术国内外研究进展及应用前景 | 第15-17页 |
| ·FBAR技术研究历史及国内外研究进展 | 第15-16页 |
| ·FBAR技术的发展前景 | 第16-17页 |
| ·用于 FBAR技术的 AlN压电材料以及 AlN薄膜的结构特征 | 第17-24页 |
| ·压电理论概述 | 第17-19页 |
| ·压电效应及压电方程 | 第17-18页 |
| ·压电振子的参数 | 第18-19页 |
| ·AlN压电材料特性 | 第19-22页 |
| ·AlN的晶胞结构和压电性 | 第19-21页 |
| ·AlN的其他特征和应用 | 第21-22页 |
| ·AlN薄膜的组织结构 | 第22-23页 |
| ·AlN薄膜的制备技术 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第2章 磁控反应溅射制备 AlN薄膜的理论建模分析 | 第25-40页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第25-26页 |
| ·磁控反应溅射 | 第26-29页 |
| ·磁控反应溅射法介绍 | 第26-29页 |
| ·磁控反应溅射的迟滞效应 | 第29页 |
| ·磁控反应溅射的理论建模分析 | 第29-39页 |
| ·反应溅射工艺模型 | 第29-36页 |
| ·模型的定义 | 第29-31页 |
| ·真空室内反应气体的气体通量 | 第31页 |
| ·靶面情况 | 第31-32页 |
| ·基片情况 | 第32-33页 |
| ·沉积速率 | 第33页 |
| ·基片温度 | 第33页 |
| ·反应气体总流量 | 第33-34页 |
| ·建模分析反应溅射 | 第34-36页 |
| ·工艺参数对迟滞曲线的影响 | 第36-39页 |
| ·系统抽速对迟滞曲线的影响 | 第36页 |
| ·靶功率对迟滞曲线的影响 | 第36-37页 |
| ·靶基距对迟滞曲线的影响 | 第37-38页 |
| ·基片温度对迟滞曲线的影响 | 第38-39页 |
| ·理论分析回述 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第3章 实验过程及讨论 | 第40-60页 |
| ·实验设备 | 第40-41页 |
| ·镀膜设备 | 第40页 |
| ·实验测试设备 | 第40-41页 |
| ·基片清洗 | 第41页 |
| ·玻璃基片的清洗 | 第41页 |
| ·硅片的清洗 | 第41页 |
| ·直流磁控反应溅射制备 AlN薄膜 | 第41-50页 |
| ·直流溅射实验参数 | 第41-42页 |
| ·AlN薄膜厚度的测量 | 第42-44页 |
| ·直流溅射测量值 | 第42-43页 |
| ·影响成膜速率的因素讨论 | 第43-44页 |
| ·AlN薄膜晶面择优取向的研究 | 第44-50页 |
| ·AlN薄膜择优取向机理的理论分析 | 第45页 |
| ·AlN薄膜样品的 XRD图 | 第45-48页 |
| ·XRD衍射图讨论 | 第48-49页 |
| ·样品晶面间距与 JCPDS衍射卡片(25-1133)标准相比较 | 第49-50页 |
| ·直流磁控反应溅射制备 AlN薄膜工艺优缺点小结 | 第50页 |
| ·射频磁控反应溅射制备 AlN薄膜 | 第50-57页 |
| ·射频溅射实验参数 | 第50-51页 |
| ·射频溅射增加薄膜沉积速率工艺方法讨论 | 第51页 |
| ·射频溅射 AlN薄膜择优取向分析 | 第51-57页 |
| ·射频溅射样品数据 | 第51-52页 |
| ·样品的XRD图 | 第52-55页 |
| ·实验参数对 AlN薄膜c轴择优取向影响 | 第55-57页 |
| ·以AlN为核心的大尺寸压电震荡堆及其谐振曲线 | 第57-59页 |
| ·大尺寸压电震荡堆的制备 | 第57-58页 |
| ·压电震荡堆的谐振曲线 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第4章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 感谢 | 第64页 |
