摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
1 绪论 | 第10-23页 |
1.1 非晶合金发展背景和现状 | 第10-12页 |
1.2 非晶态结构的描述方法和结构模型 | 第12-14页 |
1.2.1 非晶合金的短程序和描述方法 | 第12-13页 |
1.2.2 非晶结构模型 | 第13-14页 |
1.3 非晶态固体电子结构 | 第14-16页 |
1.3.1 非晶态固体电子态 | 第15页 |
1.3.2 Anderson局域化 | 第15-16页 |
1.3.3 Mott局域化 | 第16页 |
1.4 非晶合金计算模拟方法 | 第16-17页 |
1.5 纳米复合永磁材料 | 第17-20页 |
1.5.1 纳米复合永磁材料发展历史 | 第17-18页 |
1.5.2 交换耦合作用 | 第18页 |
1.5.3 Nd-Fe-B纳米复合永磁材料的分类 | 第18-19页 |
1.5.4 提高磁性能的途径 | 第19-20页 |
1.6 强磁场在材料科学中的应用 | 第20-21页 |
1.6.1 磁场在固态相变中的应用 | 第21页 |
1.6.2 磁场在结构取向上的应用 | 第21页 |
1.7 本论文研究思路 | 第21-23页 |
2 基于密度泛函理论的离散变分法 | 第23-31页 |
2.1 密度泛函理论 | 第23-24页 |
2.2 离散变分法 | 第24-28页 |
2.2.1 Xα方程 | 第24-25页 |
2.2.2 分子轨道能量 | 第25页 |
2.2.3 线性变分原理 | 第25-26页 |
2.2.4 离散变分基本思路 | 第26-28页 |
2.3 计算参数的选择 | 第28-31页 |
2.3.1 取样点的选择 | 第28-29页 |
2.3.2 α的选取 | 第29页 |
2.3.3 基函数 | 第29-31页 |
3 Al、Ga的添加对Cu基合金非晶形成能力影响的团簇模型研究 | 第31-42页 |
3.1 引言 | 第31页 |
3.2 团簇模型 | 第31-33页 |
3.3 计算结果与讨论 | 第33-41页 |
3.3.1 Al、Ga的加入对原子间相互作用的影响 | 第33-37页 |
3.3.2 Al、Ga的加入对团簇稳定性的影响 | 第37-41页 |
3.4 本章小结 | 第41-42页 |
4 强磁场对晶化过程和磁性能的影响 | 第42-60页 |
4.1 研究方案 | 第42-43页 |
4.2 实验过程 | 第43-45页 |
4.2.1 合金设计 | 第43页 |
4.2.2 熔炼制备非晶薄带 | 第43-44页 |
4.2.3 磁场等温退火处理 | 第44-45页 |
4.3 分析测试方法 | 第45-47页 |
4.3.1 晶化转变温度测定 | 第45页 |
4.3.2 相结构分析 | 第45页 |
4.3.3 微观结构分析 | 第45页 |
4.3.4 磁性能分析 | 第45-47页 |
4.4 Nd-Fe-Co-B非晶合金的晶化行为研究 | 第47-50页 |
4.4.1 XRD分析 | 第47页 |
4.4.2 DTA分析 | 第47-50页 |
4.5 强磁场对晶化过程的影响 | 第50-53页 |
4.6 强磁场对微结构的影响 | 第53-54页 |
4.7 强磁场对磁性能的影响 | 第54-59页 |
4.7.1 Nd_5Fe_(70)Co_8B_(17)磁性能分析 | 第55页 |
4.7.2 Nd_9Fe_(78)Co_8B_5磁性能分析 | 第55-59页 |
4.8 本章小结 | 第59-60页 |
5 Nd-Fe-B非晶合金晶化相的团簇结构关系和电子结构研究 | 第60-71页 |
5.1 晶体结构与团簇关系 | 第60-64页 |
5.1.1 Nd_2Fe_(23)B_3晶体结构及所包含团簇 | 第60页 |
5.1.2 Nd_(1.1)Fe_4B_4晶体结构及所包含团簇 | 第60-61页 |
5.1.3 TbCu_7型相晶体结构及所包含团簇 | 第61-63页 |
5.1.4 Nd_2Fe_(14)B晶体结构及所包含团簇 | 第63-64页 |
5.1.5 晶化相的团簇结构关系 | 第64页 |
5.2 电子结构研究 | 第64-69页 |
5.2.1 团簇模型 | 第65页 |
5.2.2 态密度分析 | 第65-68页 |
5.2.3 电荷密度分析 | 第68-69页 |
5.3 本章小结 | 第69-71页 |
6 结论和展望 | 第71-73页 |
6.1 结论 | 第71-72页 |
6.2 展望 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-78页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第78-79页 |
致谢 | 第79-80页 |
大连理工大学学位论文版权使用授权书 | 第80页 |