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全固态高频多管并联逆变电源的研究

1 概述第1-14页
   ·感应加热电源课题研究的必要性第10页
   ·感应加热电源的现状与发展趋势第10-12页
   ·选题的任务及意义第12-14页
2 主电路拓扑结构分析与选择第14-21页
   ·主电路拓扑结构分析第14-17页
     ·并联谐振逆变器第14-15页
     ·串联谐振逆变器第15-17页
   ·主电路拓扑结构选择第17-21页
     ·并联逆变器与串联逆变器的比较第17-18页
     ·串联谐振逆变器的工作区第18-21页
3 高频串联逆变器缓冲电路的研究第21-37页
   ·缓冲电路概述第21页
   ·两种通用的缓冲电路第21-25页
     ·充放电型RCD缓冲电路第21-22页
     ·放电阻止形RCD缓冲网络第22-24页
     ·两种缓冲电路的比较第24-25页
   ·无损谐振电容缓冲器的设计第25-33页
     ·含有谐振极电容缓冲器的逆变器工作状态分析第25-28页
     ·谐振极电容缓冲器的参数设计第28-31页
     ·谐振极电容对元件关断损耗和总体损耗的影响第31-33页
   ·实验结果及分析第33-37页
4 锁相环的建模与仿真研究第37-51页
   ·锁相环的工作原理与基本性能第37-42页
     ·锁相环的基本原理第37-39页
     ·环路基本性能第39页
     ·环路的数学模型第39-42页
   ·锁相环路仿真模型的构造第42-46页
     ·鉴相器仿真模型的建立第42-44页
     ·环路滤波器仿真模型的建立第44页
     ·压控振荡器仿真模型的建立第44-46页
   ·锁相环的Pspice仿真分析第46-51页
     ·锁相环仿真模型的构造第46页
     ·锁相环路参数的设计第46-47页
     ·锁相环的Pspice仿真分析第47-51页
5 功率MOSFET并联均流特性研究第51-71页
   ·MOSFET基本特性与参数第51-52页
   ·MOSFET并联均流特性第52-53页
     ·静态均流特性第52-53页
     ·动态均流特性第53页
   ·系统参数对MOSFET并联均流的影响及仿真分析第53-63页
     ·MOSFET内部特性参数对并联特性的影响第54-56页
     ·外围线路参数对并联特性的影响第56-62页
     ·栅极驱动电路对并联特性的影响第62-63页
   ·改善MOSFET并联均流特性的措施第63-64页
   ·实验结果及分析第64-71页
6 系统总体设计与仿真分析第71-80页
   ·系统总体框图第71-74页
   ·逆变器工作在不同状态时的仿真分析第74-78页
   ·功率MOSFET的抗瞬变能力分析第78-80页
结论第80-82页
致谢第82-83页
参考文献第83-87页
论文发表情况第87页

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