| 第一章 绪论 | 第1-16页 |
| 1．1 集成电路的功耗问题 | 第8页 |
| 1．2 集成电路的功耗分析 | 第8-10页 |
| 1．3 功耗估算 | 第10-11页 |
| 1．4 减少动态功耗的主要途径 | 第11-16页 |
| 第二章 工艺改进对各种CMOS电路的影响 | 第16-28页 |
| 2．1 介绍 | 第16页 |
| 2．2 各种逻辑电路 | 第16-20页 |
| 2．3 工艺改进对各种逻辑电路的影响 | 第20-26页 |
| 2．4 电路面积上的考虑 | 第26-27页 |
| 2．5 总结 | 第27-28页 |
| 第三章 MCML电路设计 | 第28-41页 |
| 3．1 MOS差分电路 | 第28-30页 |
| 3．2 MCML电路与ECL电路 | 第30-32页 |
| 3．3 MCML三值电路理论 | 第32-35页 |
| 3．4 MCML三值电路设计 | 第35-40页 |
| 3．5 其它 | 第40-41页 |
| 第四章 三值放大器 | 第41-46页 |
| 4．1 二值反相器的三值输出 | 第41-43页 |
| 4．2 小摆幅三值信号放大电路 | 第43-46页 |
| 第五章 基于并联开关的低电压低功耗电流型CMOS电路设计 | 第46-54页 |
| 5．1 介绍 | 第46页 |
| 5．2 适合于电流型CMOS电路开关级设计的传输电流开关理论 | 第46-47页 |
| 5．3 减少串联开关的方法及其限制 | 第47-48页 |
| 5．4 并联开关电路 | 第48-50页 |
| 5．5 电路设计实例 | 第50-53页 |
| 5．6 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |