| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 β-FeSi_2材料综述 | 第11-18页 |
| ·β-FeSi_2的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·β-FeSi_2的光学性能 | 第12-13页 |
| ·β-FeSi_2的电学性能 | 第13页 |
| ·β-FeSi_2的研究进展 | 第13-15页 |
| ·β-FeSi_2的制备方法 | 第15-17页 |
| ·β-FeSi_2研究面临的难题与本课题的研究目的 | 第17-18页 |
| 2 FeSi_2薄膜的制备与表征方法 | 第18-28页 |
| ·薄膜的制备的方法 | 第18-21页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第18页 |
| ·射频磁控溅射原理及设备 | 第18-20页 |
| ·非平衡磁控溅射原理 | 第20页 |
| ·退火处理设备 | 第20-21页 |
| ·薄膜的分析方法 | 第21-25页 |
| ·掠入射X射线衍射(GAXRD)原理 | 第21页 |
| ·电子探针显微分析(EPMA) | 第21-22页 |
| ·透射电镜(TEM)分析 | 第22-23页 |
| ·光致荧光光谱(PL) | 第23-24页 |
| ·吸收光谱 | 第24-25页 |
| ·实验样品参数 | 第25-28页 |
| ·射频磁控溅射法制备的Fe/Si多层膜样品实验参数 | 第25-26页 |
| ·非平衡磁控溅射法制备的铁硅薄膜样品实验参数 | 第26-27页 |
| ·两种实验方法制备的薄膜样品的表征 | 第27-28页 |
| 3 射频磁控溅射法制备的Fe/Si多层膜的结构及带隙分析 | 第28-57页 |
| ·前期研究结果 | 第28-30页 |
| ·X射线分析结果 | 第28-29页 |
| ·透射电镜分析结果 | 第29-30页 |
| ·X射线分析及相关讨论 | 第30-33页 |
| ·透射电镜分析及相关讨论 | 第33-51页 |
| ·Fe/Si沉积时间比是15/1的透射电镜分析及相关讨论 | 第33-37页 |
| ·Fe/Si沉积时间比是15/2的透射电镜分析及相关讨论 | 第37-41页 |
| ·Fe/Si沉积时间比是15/3的透射电镜分析及相关讨论 | 第41-44页 |
| ·Fe/Si沉积时间比是15/4的透射电镜分析及相关讨论 | 第44-47页 |
| ·Fe/Si沉积时间比是15/5的透射电镜分析及相关讨论 | 第47-49页 |
| ·堆垛层错分析 | 第49-50页 |
| ·透射电镜分析小结 | 第50-51页 |
| ·带隙测定和分析 | 第51-57页 |
| ·未退火样品带隙测定和分析 | 第51-55页 |
| ·退火样品带隙测定和分析 | 第55-57页 |
| 4 非平衡磁控溅射法制备铁硅薄膜的结构及带隙分析 | 第57-72页 |
| ·电子探针的结果分析 | 第57-58页 |
| ·X射线衍射分析 | 第58-61页 |
| ·透射电镜分析及相关讨论 | 第61-69页 |
| ·EDAX分析 | 第61-62页 |
| ·Fe靶功率为40W样品的透射电镜分析 | 第62-64页 |
| ·Fe靶功率为50W样品的透射电镜分析 | 第64-66页 |
| ·Fe靶功率为80W样品的透射电镜分析 | 第66-68页 |
| ·Fe的含量对薄膜生长的影响 | 第68-69页 |
| ·铁硅薄膜的带隙测定和分析 | 第69-72页 |
| ·未退火样品带隙测定和分析 | 第69-70页 |
| ·退火样品带隙测定和分析 | 第70-72页 |
| 5 两种实验方法制备的薄膜的光致发光信号的测定 | 第72-75页 |
| 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
