| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-22页 |
| ·选题意义 | 第7-8页 |
| ·薄膜工艺 | 第8-15页 |
| ·概述 | 第8页 |
| ·薄膜的形成与生长 | 第8-11页 |
| ·吸附 | 第8-9页 |
| ·表面扩散 | 第9-10页 |
| ·凝结 | 第10页 |
| ·形核 | 第10页 |
| ·生长 | 第10-11页 |
| ·薄膜制备方法 | 第11-15页 |
| ·真空蒸发镀膜 | 第11页 |
| ·溅射镀膜 | 第11-15页 |
| ·溅射的基本原理 | 第12-13页 |
| ·溅射的种类 | 第13页 |
| ·溅射阈值和溅射产额 | 第13-14页 |
| ·溅射粒子的速度和能量 | 第14页 |
| ·溅射粒子的角度分布 | 第14-15页 |
| ·其他方法 | 第15页 |
| ·计算机模拟 | 第15-21页 |
| ·模拟的概述 | 第15页 |
| ·常见计算机模拟方法及其在薄膜生长过程模拟中的应用 | 第15-21页 |
| ·分子动力学(MD)方法 | 第15-17页 |
| ·蒙特卡罗(MC)方法 | 第17-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第二章 溅射原子的产生 | 第22-47页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·入射离子产生的基本原理 | 第22-24页 |
| ·模拟方法 | 第24-30页 |
| ·磁场的产生 | 第24-25页 |
| ·等离子体的发生 | 第25-29页 |
| ·电磁场的模拟 | 第26-27页 |
| ·电磁模型中的电流参量 | 第27-29页 |
| ·自持电磁场的计算 | 第29页 |
| ·离子溅射 | 第29-30页 |
| ·模拟结果 | 第30-45页 |
| ·磁场分布 | 第30-31页 |
| ·准稳态的确定 | 第31-35页 |
| ·电子与离子的空间分布 | 第35-37页 |
| ·电场与磁场的空间分布 | 第37-38页 |
| ·靶表面离子流密度及能量分布 | 第38-42页 |
| ·靶材的刻蚀曲线 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 溅射原子的传输 | 第47-57页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·模拟方法 | 第47-51页 |
| ·原子运动过程模拟 | 第47-49页 |
| ·坐标转换 | 第49-51页 |
| ·模拟结果 | 第51-55页 |
| ·溅射原子的运动轨迹 | 第51-52页 |
| ·溅射原子与背景气体的碰撞次数 | 第52-53页 |
| ·溅射原子运动过程中的能量变化 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 溅射原子的沉积 | 第57-71页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·薄膜微观生长的模拟 | 第57-65页 |
| ·模拟方法 | 第58-61页 |
| ·EAM方法 | 第58-59页 |
| ·薄膜微观初期生长过程的三维模拟 | 第59-61页 |
| ·模拟结果 | 第61-65页 |
| ·薄膜宏观生长的模拟 | 第65-70页 |
| ·模拟方法 | 第65页 |
| ·模拟结果 | 第65-70页 |
| ·基板温度对薄膜宏观形貌的影响 | 第65-66页 |
| ·磁场分布对薄膜宏观形貌的影响 | 第66-67页 |
| ·阴极靶上的偏压对薄膜宏观形貌的影响 | 第67-68页 |
| ·背景气体压强对薄膜宏观形貌的影响 | 第68-69页 |
| ·靶材-基板间距对薄膜形貌的影响 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 附录 缩略语注释 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |