| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·电子封装与电子封装材料 | 第11-15页 |
| ·电子封装及其功能 | 第11-12页 |
| ·电子封装材料及性能要求 | 第12-13页 |
| ·传统电子封装材料 | 第13-14页 |
| ·金属基电子封装材料 | 第14-15页 |
| ·SiC/Cu 电子封装材料 | 第15-19页 |
| ·SiC/Cu 电子封装材料的特点及应用 | 第15页 |
| ·SiC/Cu 电子封装材料发展现状 | 第15-16页 |
| ·SiC/Cu 电子封装材料的热物理性能 | 第16-19页 |
| ·金属基电子封装材料制备技术 | 第19-20页 |
| ·粉末冶金法 | 第19页 |
| ·挤压铸造法 | 第19-20页 |
| ·液态浸渗法 | 第20页 |
| ·喷射沉积法 | 第20页 |
| ·热喷涂法 | 第20页 |
| ·陶瓷粉体表面改性 | 第20-24页 |
| ·物理气相沉积 | 第21页 |
| ·化学气相沉积 | 第21页 |
| ·溶胶-凝胶 | 第21页 |
| ·化学镀 | 第21-24页 |
| ·本文的主要研究内容、目的及课题来源 | 第24-26页 |
| ·研究内容 | 第24-25页 |
| ·研究目的 | 第25页 |
| ·课题来源 | 第25-26页 |
| 2 实验材料与方法 | 第26-32页 |
| ·实验材料 | 第26页 |
| ·实验方法 | 第26-30页 |
| ·Cu 包覆SiC 复合粉体的制备 | 第26-28页 |
| ·喷涂实验 | 第28页 |
| ·热压实验 | 第28-30页 |
| ·分析测试方法 | 第30-32页 |
| ·体积分数的测定 | 第30页 |
| ·密度及孔隙率的测定 | 第30-31页 |
| ·微观组织分析 | 第31页 |
| ·相分析 | 第31页 |
| ·热膨胀系数测试 | 第31页 |
| ·热导率测试 | 第31-32页 |
| 3 Cu 包覆SiC 复合粉体的制备研究 | 第32-47页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·SiC 粉体表面预处理研究 | 第32-37页 |
| ·SiC 粉体表面预处理 | 第32-34页 |
| ·预处理对化学镀铜的影响 | 第34-37页 |
| ·SiC 表面化学镀铜研究 | 第37-45页 |
| ·化学镀铜参数的优化 | 第37-40页 |
| ·化学镀铜工艺对孕育期和增重率的影响 | 第40-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 4 SiC/Cu 电子封装材料的制备与组织结构分析 | 第47-62页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·化学镀铜对喷涂材料组织结构的影响 | 第47-50页 |
| ·喷涂工艺对材料组织结构的影响 | 第50-55页 |
| ·压缩空气压力 | 第50-51页 |
| ·乙炔压力 | 第51-52页 |
| ·喷涂距离 | 第52-53页 |
| ·喷涂工艺的优化 | 第53-55页 |
| ·热压工艺对材料组织结构的影响 | 第55-60页 |
| ·热压温度 | 第55-57页 |
| ·热压压力 | 第57-58页 |
| ·加载速率 | 第58-60页 |
| ·界面结合状态分析 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 5 SiC/Cu 电子封装材料热物性研究 | 第62-69页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·SiC/Cu 电子封装材料的热膨胀系数 | 第62-65页 |
| ·体积分数及温度的影响 | 第62-63页 |
| ·热压的影响 | 第63-64页 |
| ·热膨胀系数的模型预测 | 第64-65页 |
| ·SiC/Cu 电子封装材料的热导率 | 第65-66页 |
| ·体积分数的影响 | 第65页 |
| ·热压的影响 | 第65-66页 |
| ·热导率的模型预测 | 第66页 |
| ·高速火焰喷涂SiC/Cu 电子封装材料热物理性能综合评价 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 6 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 在读期间发表的论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |