| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-27页 |
| 1.1 引言 | 第19-20页 |
| 1.2 新型非挥发性存储器介绍 | 第20-24页 |
| 1.2.1 铁电存储器 | 第20-21页 |
| 1.2.2 磁阻存储器 | 第21-22页 |
| 1.2.3 相变存储器 | 第22页 |
| 1.2.4 阻变存储器 | 第22-23页 |
| 1.2.5 新型非易失存储器的性能参数比较 | 第23-24页 |
| 1.3 本文的选题意义及各章研究内容安排 | 第24-27页 |
| 第二章 阻变存储器RRAM概述 | 第27-37页 |
| 2.1 RRAM的发展历程 | 第27-28页 |
| 2.2 RRAM的工作原理 | 第28-29页 |
| 2.3 RRAM的材料体系 | 第29-31页 |
| 2.3.1 多元金属氧化物材料 | 第30页 |
| 2.3.2 二元过渡金属氧化物材料 | 第30页 |
| 2.3.3 固态电解质材料 | 第30-31页 |
| 2.3.4 有机薄膜材料 | 第31页 |
| 2.4 RRAM的阻变机制 | 第31-35页 |
| 2.4.1 界面势垒调节机制 | 第31-32页 |
| 2.4.2 缺陷能级电荷俘获/释放机制 | 第32-33页 |
| 2.4.3 导电细丝机制 | 第33-35页 |
| 2.4.4 不同阻变机制下的I-V特性关系 | 第35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 基于COMSOL对SiN_x型RRAM的仿真 | 第37-51页 |
| 3.1 基于氮空位导电的RRAM器件模型 | 第37-41页 |
| 3.1.1 器件仿真的方程模型 | 第37-39页 |
| 3.1.2 器件的电-热耦合模型 | 第39-41页 |
| 3.1.3 器件的初始状态 | 第41页 |
| 3.2 器件的Reset过程 | 第41-42页 |
| 3.3 器件的Set仿真过程 | 第42-44页 |
| 3.4 基于SiN_x的RRAM器件阻变机理分析 | 第44-47页 |
| 3.5 不同化学计量的SiN_x薄膜对器件性能影响 | 第47-48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-51页 |
| 第四章 RRAM电化学导电细丝生长机理研究 | 第51-69页 |
| 4.1 研究背景 | 第51-52页 |
| 4.2 RRAM导电细丝生长机理一维数值仿真 | 第52-56页 |
| 4.2.1 仿真模型 | 第52页 |
| 4.2.2 粒子的输运机制 | 第52-55页 |
| 4.2.3 仿真结果 | 第55-56页 |
| 4.3 基于动态蒙特卡洛的RRAM导电机理研究 | 第56-67页 |
| 4.3.1 仿真模型 | 第56-58页 |
| 4.3.2 二维泊松方程 | 第58页 |
| 4.3.3 动态蒙特卡洛仿真中事件的发生概率 | 第58-61页 |
| 4.3.4 仿真流程 | 第61-62页 |
| 4.3.5 仿真结果 | 第62-66页 |
| 4.3.6 实验对比结果 | 第66-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 总结 | 第69-70页 |
| 5.2 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 作者简介 | 第77-78页 |