| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第12-24页 |
| 1.1 红外探测技术的发展介绍 | 第12-16页 |
| 1.1.1 红外探测器简介 | 第12-13页 |
| 1.1.2 红外探测器的发展 | 第13-14页 |
| 1.1.3 短波红外InGaAs探测器的发展 | 第14-16页 |
| 1.2 集成纳米天线半导体器件发展介绍 | 第16-22页 |
| 1.2.1 集成纳米天线太阳电池 | 第16-18页 |
| 1.2.2 集成纳米天线传感器 | 第18-20页 |
| 1.2.3 集成纳米天线光电探测器 | 第20-22页 |
| 1.3 本论文的研究目的和主要内容 | 第22-24页 |
| 第2章 表面等离子激元基本理论 | 第24-34页 |
| 2.1 表面等离子激元相关概念 | 第24-27页 |
| 2.1.1 表面等离极化激元 | 第24-27页 |
| 2.1.2 局域表面等离激元 | 第27页 |
| 2.2 表面等离子激元定量分析 | 第27-33页 |
| 2.2.1 Mie理论 | 第27-31页 |
| 2.2.2 有限时域差分法(FDTD) | 第31-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 纳米天线结构的设计与分析 | 第34-51页 |
| 3.1 纳米天线结构仿真模型建立 | 第34-35页 |
| 3.1.1 微纳结构模拟仿真方法简介 | 第34页 |
| 3.1.2 纳米天线的结构设计和仿真参数设定 | 第34-35页 |
| 3.2 SiO_2/Metal balls/InP结构性能模拟 | 第35-42页 |
| 3.2.1 金属折射率对结构透过性能影响 | 第35-37页 |
| 3.2.2 金属球半径对结构透过性能影响 | 第37-38页 |
| 3.2.3 金属球排列周期对结构透过性能影响 | 第38-40页 |
| 3.2.4 SiO_2层对结构透过性能影响 | 第40-42页 |
| 3.2.5 入射光偏振角度对结构透过性能影响 | 第42页 |
| 3.3 Metal block/SiO_2/InP结构性能模拟 | 第42-50页 |
| 3.3.1 金属材料对结构透过性能影响 | 第43-44页 |
| 3.3.2 金属块底面边长对结构透过性能影响 | 第44-45页 |
| 3.3.3 金属块高度对结构透过性能影响 | 第45-46页 |
| 3.3.4 金属块排列周期对结构透过性能影响 | 第46-48页 |
| 3.3.5 SiO_2厚度对结构透过性能影响 | 第48-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 SiO_2/Metal balls/InP结构的制备与性能研究 | 第51-57页 |
| 4.1 纳米天线结构制备 | 第51-53页 |
| 4.1.1 纳米天线结构制备工艺 | 第51-52页 |
| 4.1.2 不同沉积时间的沉积效果 | 第52-53页 |
| 4.2 结构测试与分析 | 第53-56页 |
| 4.2.1 Metal balls/InP结构性能测试与分析 | 第53-55页 |
| 4.2.2 SiO_2/Metal balls/InP结构性能测试与分析 | 第55-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-57页 |
| 第5章 亚波长偏振光栅制备 | 第57-66页 |
| 5.1 集成金属人工结构近红外探测器的工艺新方法 | 第59-63页 |
| 5.1.1 金属微纳光栅结构制备工艺 | 第59-61页 |
| 5.1.2 背照射InGaAs偏振探测器制备 | 第61-63页 |
| 5.2 集成金属光栅的InGaAs探测器的性能测试 | 第63-64页 |
| 5.3 本章小结 | 第64-66页 |
| 第6章 全文总结与展望 | 第66-69页 |
| 6.1 全文总结 | 第66-67页 |
| 6.2 展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第79页 |
