基于IGZO沟道的TFT存储器仿真特性研究

摘要	第4-6页
Abstract	第6-7页
1 绪论	第10-17页
1.1 引言	第10-11页
1.2 非晶铟镓锌氧化物	第11-14页
1.3 非晶IGZO应用的优势	第14-15页
1.4 本文主要工作内容及安排	第15-17页
2 基于IGZO沟道的TFT存储器	第17-23页
2.1 基本结构	第17-18页
2.2 TFT存储器工作原理	第18-22页
2.3 本章小结	第22-23页
3 基于Silvaco的器件仿真特性研究	第23-43页
3.1 仿真环境	第23-25页
3.2 TCAD器件仿真及结果	第25-41页
3.3 本章小结	第41-43页
4 IGZO沟道迁移率模型	第43-55页
4.1 引言	第43页
4.2 模型建立	第43-50页
4.3 模拟结果及分析	第50-54页
4.4 本章小结	第54-55页
5 迁移率修正与器件仿真	第55-61页
5.1 迁移率校正	第55-56页
5.2 器件仿真	第56-60页
5.3 本章小结	第60-61页
6 总结与展望	第61-64页
6.1 全文总结	第61-63页
6.2 工作展望	第63-64页
致谢	第64-65页
参考文献	第65-69页