| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10页 |
| 1.2 半导体光催化技术简介 | 第10-13页 |
| 1.2.1 半导体能带理论 | 第10-11页 |
| 1.2.2 半导体光催化反应机理 | 第11-12页 |
| 1.2.3 光催化反应活性的影响因素 | 第12-13页 |
| 1.3 石墨相氮化碳(g-C_3N_4)光催化材料 | 第13-17页 |
| 1.3.1 g-C_3N_4晶体结构 | 第13-14页 |
| 1.3.2 纳米g-C_3N_4制备方法 | 第14-15页 |
| 1.3.3 纳米g-C_3N_4光催化材料的新进展 | 第15-16页 |
| 1.3.4 氮化碳-二氧化钛二元异质结的光催化技术研究进展 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 实验内容及测试方法 | 第18-24页 |
| 2.1 实验所用试剂及设备 | 第18页 |
| 2.1.1 实验所用试剂 | 第18页 |
| 2.1.2 实验中所用仪器设备 | 第18页 |
| 2.2 材料的表征方法 | 第18-21页 |
| 2.3 性能测试 | 第21-24页 |
| 第3章 WS-GCN的结构与光学性质 | 第24-36页 |
| 3.1 材料制备 | 第24-25页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第25-34页 |
| 3.2.1 形貌影响因子及条件选择 | 第25-27页 |
| 3.2.2 水溶性及表面电荷 | 第27-28页 |
| 3.2.3 光学特性 | 第28-29页 |
| 3.2.4 成分及化学结构分析 | 第29-33页 |
| 3.2.5 WS-GCN的形成机理 | 第33-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 TiO_2/WS-GCN二元异质结纳米材料 | 第36-48页 |
| 4.1 实验部分 | 第36-37页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第37-45页 |
| 4.2.1 形貌表征 | 第37-39页 |
| 4.2.2 成分分析 | 第39-40页 |
| 4.2.3 光催化性能 | 第40-43页 |
| 4.2.4 高效光催化活性的机理 | 第43-45页 |
| 4.3 本章小结 | 第45-48页 |
| 第5章 TiO_2/RGO/WS-GCN三元异质结纳米材料 | 第48-58页 |
| 5.1 实验部分 | 第48-49页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第49-56页 |
| 5.2.1 形貌表征 | 第49-51页 |
| 5.2.2 成分分析 | 第51-52页 |
| 5.2.3 光催化性能表征 | 第52-54页 |
| 5.2.4 光催化反应机理 | 第54-56页 |
| 5.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-68页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术成果 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
