| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 存储器简介 | 第9-14页 |
| 1.2 阻变式随机存储器(RRAM) | 第14-20页 |
| 1.2.1 RRAM的器件结构 | 第14-15页 |
| 1.2.2 RRAM的材料选择 | 第15-16页 |
| 1.2.3 RRAM的阻变行为与性能参数 | 第16-17页 |
| 1.2.4 RRAM的电阻转变机制 | 第17-20页 |
| 1.3 基于有机-无机杂化钙钛矿阻变存储器的简介 | 第20-24页 |
| 1.3.1 有机-无机杂化钙钛矿材料的简介 | 第20-21页 |
| 1.3.2 有机-无机杂化钙钛矿RRAM的发展现状 | 第21-24页 |
| 1.4 本论文研究的内容及意义 | 第24-26页 |
| 第二章 基于CH_3NH_3PbI_3基阻变存储器性能提升 | 第26-45页 |
| 2.1 前言 | 第26-27页 |
| 2.2 基于CH_3NH_3PbI_3基RRAM的阻变行为的探究 | 第27-33页 |
| 2.2.1 器件的制备 | 第27-29页 |
| 2.2.2 CH_3NH_3PbI_3薄膜的表征 | 第29-32页 |
| 2.2.3 CH_3NH_3PbI_3基RRAM的基本阻变行为 | 第32-33页 |
| 2.3 CH_3NH_3PbI_3基RRAM性能的提升 | 第33-44页 |
| 2.3.1 CH_3NH_3PbI_3基RRAM优化器件的制备及表征 | 第33-36页 |
| 2.3.2 优化器件较原器件阻变性能提升 | 第36-39页 |
| 2.3.3 优化器件环境稳定性的提升 | 第39-41页 |
| 2.3.4 优化器件阻变性能提升原理的研究 | 第41-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 基于CH_3NH_3PbI_3基阻变存储器功能拓展的研究 | 第45-54页 |
| 3.1 前言 | 第45-46页 |
| 3.2 CH_3NH_3PbI_3基RRAM的多级存储性能的探究 | 第46-48页 |
| 3.3 CH_3NH_3PbI_3基RRAM安全信息存储性能的探究 | 第48-51页 |
| 3.4 CH_3NH_3PbI_3基RRAM柔性可弯折性能的探究 | 第51-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 总结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 在学期间公开发表论文及参加会议情况 | 第65页 |
