| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-31页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 有机场效应晶体管简介 | 第11-19页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管的基本结构 | 第11页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管的基本原理 | 第11-12页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管的基本参数 | 第12-15页 |
| 1.2.4 有机场效应晶体管的优势及研究现状 | 第15-19页 |
| 1.3 有机薄膜场效应晶体管 | 第19-22页 |
| 1.3.1 有机薄膜场效应晶体管的制备方法 | 第19-22页 |
| 1.3.2 有机薄膜场效应晶体管的研究意义 | 第22页 |
| 1.4 半导体与绝缘层之间的界面性质对有机场效应晶体管性能的影响 | 第22-29页 |
| 1.4.1 半导体与绝缘层之间界面性质的研究意义 | 第22-23页 |
| 1.4.2 半导体与绝缘层界面的影响因素 | 第23-29页 |
| 1.5 本论文的选题依据 | 第29-31页 |
| 第二章 DNTT薄膜场效应晶体管的制备及其性能研究 | 第31-51页 |
| 2.1 引言 | 第31-33页 |
| 2.2 DNTT薄膜的沉积条件的优化及薄膜表征 | 第33-37页 |
| 2.2.1 DNTT薄膜的沉积条件的优化 | 第33-36页 |
| 2.2.2 DNTT半导体薄膜的表征 | 第36-37页 |
| 2.3 绝缘层的制备及表征 | 第37-41页 |
| 2.3.1 绝缘层的制备 | 第37-39页 |
| 2.3.2 绝缘层的表征 | 第39-41页 |
| 2.4 半导体与绝缘层之间黏附能对DNTT薄膜晶体管性能的影响 | 第41-49页 |
| 2.4.1 DNTT薄膜场效应晶体管的制备及性能研究 | 第41-43页 |
| 2.4.2 绝缘层表面性质对DNTT薄膜器件性能的影响 | 第43-47页 |
| 2.4.3 半导体与绝缘层之间黏附能影响迁移率的原理分析 | 第47-49页 |
| 2.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 基于pentacene器件验证黏附能规律的普适性 | 第51-57页 |
| 3.1 引言 | 第51页 |
| 3.2 pentacene薄膜的制备及表征 | 第51-53页 |
| 3.3 pentacene薄膜场效应晶体管的制备及性能研究 | 第53-54页 |
| 3.4 黏附能对pentacene薄膜场效应晶体管器件性能的影响 | 第54-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 基于黏附能规律获得高迁移率柔性可贴合DNTT OTFTs | 第57-66页 |
| 4.1 引言 | 第57-58页 |
| 4.2 轻质超薄柔性绝缘层的制备及表征 | 第58-60页 |
| 4.3 柔性DNTT场效应晶体管的制备及性能研究 | 第60-65页 |
| 4.4 随形贴合的DNTT薄膜场效应晶体管展示 | 第65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 在学期间公开发表论文、申请专利及参加会议情况 | 第77页 |
