| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 石墨烯概述 | 第9-13页 |
| 1.1.1 石墨烯的结构 | 第9-11页 |
| 1.1.2 石墨烯的性质 | 第11-12页 |
| 1.1.3 石墨烯的主要制备方法 | 第12-13页 |
| 1.1.4 石墨烯的应用前景 | 第13页 |
| 1.2 石墨烯场效应晶体管的器件物理 | 第13-16页 |
| 1.2.1 GFET的器件结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 GFET的工作原理 | 第14-15页 |
| 1.2.3 GFET的性能参数 | 第15-16页 |
| 1.3 石墨烯场效应晶体管的研究现状及发展趋势 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文研究的主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 实验方案与仪器设备 | 第19-34页 |
| 2.1 石墨烯薄膜的制备与表征 | 第19-26页 |
| 2.1.1 PECVD法制备石墨烯薄膜 | 第19-22页 |
| 2.1.2 石墨烯薄膜的转移 | 第22-23页 |
| 2.1.3 石墨烯薄膜的表征 | 第23-26页 |
| 2.2 石墨烯场效应晶体管的设计 | 第26-29页 |
| 2.2.1 器件的结构设计 | 第26-27页 |
| 2.2.2 器件的掩膜版设计 | 第27-29页 |
| 2.3 石墨烯场效应晶体管的制备与表征 | 第29-33页 |
| 2.3.1 栅电极的制备 | 第29-30页 |
| 2.3.2 栅绝缘层的制备 | 第30-31页 |
| 2.3.3 石墨烯有源层图形化 | 第31页 |
| 2.3.4 源漏电极的制备 | 第31-32页 |
| 2.3.5 电学特性的表征 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 石墨烯薄膜的制备及表征 | 第34-42页 |
| 3.1 石墨烯薄膜的制备 | 第34-36页 |
| 3.1.1 镍膜的制备工艺 | 第34-35页 |
| 3.1.2 PECVD法制备石墨烯薄膜的工艺 | 第35-36页 |
| 3.2 石墨烯薄膜的转移工艺 | 第36-37页 |
| 3.3 镍膜厚度对石墨烯薄膜的影响 | 第37-39页 |
| 3.4 转移过程对石墨烯薄膜的影响 | 第39-41页 |
| 3.4.1 SEM的表征与分析 | 第39页 |
| 3.4.2 AFM的表征与分析 | 第39-40页 |
| 3.4.3 拉曼光谱的表征与分析 | 第40-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 石墨烯场效应晶体管的制备及性能分析 | 第42-55页 |
| 4.1 栅电极的制备 | 第42-44页 |
| 4.1.1 ITO栅电极的制备工艺 | 第42-43页 |
| 4.1.2 制备ITO栅电极的实验结果分析 | 第43-44页 |
| 4.2 栅绝缘层的制备 | 第44-46页 |
| 4.2.1 Ta_2O_5栅绝缘层的制备工艺 | 第44-45页 |
| 4.2.2 退火温度对Ta_2O_5表面形貌的影响 | 第45-46页 |
| 4.3 石墨烯有源区图形化工艺 | 第46-47页 |
| 4.4 源漏电极的制备工艺 | 第47-48页 |
| 4.5 GFET的电学特性 | 第48-51页 |
| 4.5.1 转移与输出特性曲线 | 第48-50页 |
| 4.5.2 滞回现象 | 第50-51页 |
| 4.6 温度对GFET电学特性的影响 | 第51-54页 |
| 4.6.1 温度对狄拉克点电压的影响 | 第51-52页 |
| 4.6.2 温度对迁移率与电流开关比的影响 | 第52-53页 |
| 4.6.3 温度对滞回现象的影响 | 第53-54页 |
| 4.7 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 结论 | 第55-56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |