| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-36页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 太阳能电池的基本工作原理 | 第13-15页 |
| 1.3 太阳能电池的基本电学参数 | 第15-17页 |
| 1.4 晶硅太阳能电池的效率损失及措施 | 第17-19页 |
| 1.5 N型晶硅电池的发展优势 | 第19页 |
| 1.6 金属与N型硅的接触 | 第19-24页 |
| 1.6.1 物理机制 | 第19-21页 |
| 1.6.2 肖特基接触理论 | 第21-22页 |
| 1.6.3 表面态对金属/n-Si接触影响 | 第22-23页 |
| 1.6.4 改善金属/n-Si接触的途径 | 第23-24页 |
| 1.7 表面复合与表面钝化 | 第24-29页 |
| 1.7.1 少子复合理论 | 第24-25页 |
| 1.7.2 陷阱辅助复合(SRH复合)机制 | 第25-26页 |
| 1.7.3 表面复合机制 | 第26-27页 |
| 1.7.4 表面钝化 | 第27-29页 |
| 1.8 载流子选择收集钝化接触 | 第29-33页 |
| 1.8.1 载流子选择收集钝化接触概念及作用机理 | 第29-30页 |
| 1.8.2 隧穿氧化硅在钝化接触结构中的应用 | 第30-32页 |
| 1.8.3 电子选择收集功能材料 | 第32-33页 |
| 1.9 选题依据和主要研究内容 | 第33-36页 |
| 1.9.1 选题依据 | 第33-34页 |
| 1.9.2 主要研究内容 | 第34-36页 |
| 第二章 热硝酸法超薄氧化硅薄膜的制备与表征 | 第36-48页 |
| 2.1 引言 | 第36页 |
| 2.2 实验部分 | 第36-39页 |
| 2.2.1 实验材料和所需仪器 | 第36-37页 |
| 2.2.2 实验过程 | 第37-39页 |
| 2.3 隧穿氧化硅薄膜厚度的测定 | 第39-43页 |
| 2.3.1 椭偏法测量氧化硅薄膜厚度 | 第39-40页 |
| 2.3.2 热硝酸法工艺参数对氧化硅薄膜厚度的影响 | 第40-41页 |
| 2.3.4 退火温度对氧化硅薄膜厚度的影响 | 第41-43页 |
| 2.4 隧穿氧化硅薄膜的钝化性能 | 第43-47页 |
| 2.4.1 Sinton少子寿命仪的工作原理 | 第43-44页 |
| 2.4.2 退火温度对氧化硅钝化性能的影响 | 第44-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 E-beam蒸发法制备硅基钪薄膜 | 第48-58页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 实验部分 | 第49-50页 |
| 3.2.1 实验材料和所需仪器 | 第49-50页 |
| 3.2.2 实验过程 | 第50页 |
| 3.3 硅基钪薄膜的厚度测定 | 第50-52页 |
| 3.4 硅基钪薄膜的表面形貌 | 第52-53页 |
| 3.5 n-Si/SiO_x/Sc界面功函数的测定 | 第53-55页 |
| 3.6 钪的氧化行为 | 第55-56页 |
| 3.7 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 隧穿氧化硅/金属钪结构的电子收集和表面钝化性能 | 第58-69页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 实验部分 | 第58-59页 |
| 4.2.1 实验材料和所需设备 | 第58-59页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第59页 |
| 4.3 n-Si/SiO_x/Sc界面的接触电阻率 | 第59-66页 |
| 4.3.1 CoxandStrack法测试接触电阻率原理 | 第59-60页 |
| 4.3.2 氧化硅退火温度对界面接触的影响 | 第60-64页 |
| 4.3.3 钪厚度对界面接触的影响 | 第64-65页 |
| 4.3.4 金属化后退火对界面接触的影响 | 第65-66页 |
| 4.4 隧穿SiO_x/Sc结构的钝化性能 | 第66-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 含隧穿氧化硅/金属钪背结构的N型晶硅电池的制备与测试 | 第69-79页 |
| 5.1 引言 | 第69页 |
| 5.2 实验部分 | 第69-71页 |
| 5.2.1 实验材料和仪器 | 第69-70页 |
| 5.2.2 实验过程 | 第70-71页 |
| 5.3 退火温度对Al_2O_3/SiNx结构的钝化、减反性能的影响 | 第71-73页 |
| 5.4 金属化后退火对前电极/扩散层间接触的影响 | 第73-75页 |
| 5.5 电池性能分析及改善 | 第75-78页 |
| 5.6 电池效率损失分析和后续效率提升措施 | 第78页 |
| 5.7 本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 关于隧穿氧化硅/低功函数金属电子选择收集钝化接触结构的数值模拟研究 | 第79-90页 |
| 6.1 引言 | 第79页 |
| 6.2 模拟设置说明 | 第79-80页 |
| 6.3 氧化硅厚度和金属的功函数对表面钝化性能的影响 | 第80-83页 |
| 6.4 中间过渡缺陷层对钝化性能的影响 | 第83-84页 |
| 6.5 氧化硅层质量对钝化性能的影响 | 第84-86页 |
| 6.6 氧化硅厚度、金属功函数对界面电子收集、输运能力的影响 | 第86-87页 |
| 6.7 晶硅电池模拟 | 第87-89页 |
| 6.8 本章小结 | 第89-90页 |
| 第七章 结论与展望 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 攻读学位期间的学术研究成果 | 第100页 |
