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Cu2ZnSnS4@TiO2p-n异质结纳米片阵列膜的制备及其光催化性能研究

摘要第8-10页
Abstract第10-11页
第一章 序言第12-23页
    1.1 半导体光催化研究概况第12-14页
        1.1.1 光催化的研究意义及研究现状第12-13页
        1.1.2 半导体光催化的基本原理第13-14页
    1.2 TiO_2纳米材料的光催化第14-17页
        1.2.1 TiO_2纳米材料的光催化研究现状第14-15页
        1.2.2 TiO_2纳米材料的光催化原理第15页
        1.2.3 影响TiO_2纳米材料光催化活性的因素第15-17页
    1.3 TiO_2纳米材料光催化剂的改性方法第17-18页
        1.3.1 贵金属沉积第17页
        1.3.2 离子掺杂第17-18页
        1.3.3 半导体复合第18页
    1.4 本课题的选题思路及主要研究工作第18-19页
        1.4.1 选题思路及研究目标第18-19页
        1.4.2 研究内容第19页
    参考文献第19-23页
第二章 欠氧态TiO_2纳米片的制备及其光催化性能研究第23-31页
    2.1 引言第23-24页
    2.2 实验部分第24-25页
        2.2.1 欠氧态TiO_2纳米片结构的设计与制备第24页
        2.2.2 欠氧态TiO_2纳米片结构的表征第24页
        2.2.3 欠氧态TiO_2纳米片结构的光催化性能测试第24-25页
    2.3 结果与讨论第25-29页
        2.3.1 样品的形貌分析第25页
        2.3.2 样品的晶体结构分析第25-26页
        2.3.3 样品的Uv-vis分析第26-27页
        2.3.4 样品的J-V特性分析第27-29页
    2.4 本章小结第29页
    参考文献第29-31页
第三章 CZTS@TiO_2p-n异质结纳米片阵列膜的制备及其光催化性能研究第31-43页
    3.1 引言第31-32页
    3.2 实验部分第32-33页
        3.2.1 CZTS@TiO_2p-n异质结纳米片阵列膜的制备第32页
        3.2.2 CZTS@TiO_2p-n异质结纳米片阵列膜的表征第32-33页
    3.3 结果与讨论第33-41页
        3.3.1 样品的形貌分析第33-34页
        3.3.2 样品的晶体结构分析第34-36页
        3.3.3 样品的成分分析第36-37页
        3.3.4 样品的Uv-vis吸收第37-38页
        3.3.5 CZTS@TiO_2p-n异质结纳米片阵列膜的形成机理第38页
        3.3.6 样品的光响应分析第38-39页
        3.3.7 样品的催化活性分析第39-41页
    3.4 本章小结第41页
    参考文献第41-43页
第四章 总结与展望第43-44页
附录:研究生期间发表和完成的研究论文第44-45页
致谢第45页

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