| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第16-42页 |
| 1.1 垂直腔面发射激光器(VCSEL)的研究背景及意义 | 第17-18页 |
| 1.2 高速VCSEL的研究进展 | 第18-22页 |
| 1.3 扫描OCT的研究进展 | 第22-27页 |
| 1.4 单模VCSEL的研究进展 | 第27-37页 |
| 1.5 其他类型VCSEL的研究进展 | 第37-39页 |
| 1.6 本论文的研究对象和结构安排 | 第39-42页 |
| 1.6.1 研究对象 | 第39页 |
| 1.6.2 论文的结构安排 | 第39-42页 |
| 第2章 垂直腔面发射激光器理论基础 | 第42-68页 |
| 2.1 垂直腔面发射激光器的类型和基本性质 | 第42-44页 |
| 2.2 垂直腔面发射激光器的结构类型 | 第44-45页 |
| 2.3 垂直腔面发射激光器的类型和基本性质 | 第45-66页 |
| 2.3.1 DBR反射镜 | 第45-50页 |
| 2.3.2 阈值增益 | 第50-51页 |
| 2.3.3 纵模特性 | 第51-53页 |
| 2.3.4 横模特性 | 第53-57页 |
| 2.3.5 侧氧化特性 | 第57-64页 |
| 2.3.6 温度特性 | 第64-66页 |
| 2.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 第3章 垂直腔面发射激光器的模拟计算 | 第68-80页 |
| 3.1 正相表面浮雕VCSEL | 第68-75页 |
| 3.1.1 单横模的实现 | 第68-73页 |
| 3.1.2 高温稳定工作的实现 | 第73-75页 |
| 3.2 介质膜浮雕VCSEL | 第75-79页 |
| 3.3 本章小结 | 第79-80页 |
| 第4章 单模VCSEL工艺流程 | 第80-98页 |
| 4.1 MOCVD生长外延片 | 第80页 |
| 4.2 清洗外延片 | 第80-81页 |
| 4.3 光刻 | 第81-84页 |
| 4.4 干法刻蚀 | 第84-85页 |
| 4.5 侧氧化过程 | 第85-86页 |
| 4.6 蒸镀电极 | 第86页 |
| 4.7 减薄抛光 | 第86-87页 |
| 4.8 本论文实验的工艺流程 | 第87-96页 |
| 4.8.1 正相表面浮雕VCSEL | 第88-93页 |
| 4.8.2 介质膜浮雕VCSEL | 第93-96页 |
| 4.9 本章小结 | 第96-98页 |
| 第5章 VCSEL器件的测试结果与分析 | 第98-122页 |
| 5.1 表面浮雕VCSEL测试分析 | 第98-104页 |
| 5.2 圆形介质膜浮雕VCSEL测试分析 | 第104-113页 |
| 5.2.1 前期实验准备工作 | 第106-109页 |
| 5.2.2 圆形介质膜浮雕单模VCSEL器件 | 第109-113页 |
| 5.3 椭圆形介质膜浮雕VCSEL测试分析 | 第113-119页 |
| 5.4 本章小结 | 第119-122页 |
| 第6章 结论与展望 | 第122-126页 |
| 参考文献 | 第126-136页 |
| 致谢 | 第136-138页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第138页 |