| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 阻变存储器RRAM的简介 | 第12-13页 |
| 1.2 阻变存储器的性能及分类 | 第13-18页 |
| 1.2.1 阻变存储器的基本性能参数 | 第13-15页 |
| 1.2.2 阻变存储器的主要分类 | 第15-17页 |
| 1.2.2.1 金属导电细丝型阻变存储器 | 第16页 |
| 1.2.2.2 氧空位导电细丝型阻变存储器 | 第16-17页 |
| 1.2.3 阻变存储器的性能优化 | 第17-18页 |
| 1.3 本论文研究意义 | 第18-20页 |
| 第2章 ITO电极下的阻变存储器 | 第20-28页 |
| 2.1 阻变存储器单元的制备 | 第20-21页 |
| 2.2 正负Forming下器件的特性 | 第21-22页 |
| 2.3 ITO电极与Pt电极下器件性能对比 | 第22-25页 |
| 2.4 双层设计与低功耗 | 第25-27页 |
| 2.5 小结 | 第27-28页 |
| 第3章 不同溅射气氛下的ZrO_2基阻变存储器 | 第28-39页 |
| 3.1 器件制备及材料分析 | 第28-32页 |
| 3.1.1 ZrO_2基阻变存储器的制备 | 第28-29页 |
| 3.1.2 ZrO_2阻变层薄膜的表征 | 第29-32页 |
| 3.2 ZrO_2基器件的阻变特性分析 | 第32-34页 |
| 3.3 ZrO_2基器件的阻变参数一致性 | 第34-35页 |
| 3.4 阻变机理分析 | 第35-38页 |
| 3.5 小结 | 第38-39页 |
| 第4章 超临界二氧化碳流体技术优化器件性能 | 第39-44页 |
| 4.1 超临界二氧化碳流体技术简介 | 第39页 |
| 4.2 Pt/TiO_2/ HfO_2/TiN器件的制备 | 第39-40页 |
| 4.3 器件性能测试及优化分析 | 第40-43页 |
| 4.4 小结 | 第43-44页 |
| 第5章 ITO/Hf SiO_2/ITO柔性透明阻变存储器的研究 | 第44-47页 |
| 5.1 柔性透明阻变存储器的制备 | 第44-45页 |
| 5.2 HfO_2绝缘侧壁的制备 | 第45-46页 |
| 5.3 小结 | 第46-47页 |
| 第6章 总结和展望 | 第47-49页 |
| 6.1 总结 | 第47-48页 |
| 6.2 工作展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-56页 |
| 附录 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |