碳化硅中子探测器静态特性测试方法及中子探测性能研究
| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 本文主要研究工作和内容安排 | 第17-19页 |
| 1.3.1 本文主要研究内容 | 第17页 |
| 1.3.2 文章结构 | 第17-19页 |
| 第二章 半导体辐射探测器中子探测原理及性能指标 | 第19-32页 |
| 2.1 中子探测方法及中子能谱测试方法 | 第19-24页 |
| 2.1.1 中子探测方法 | 第19-20页 |
| 2.1.2 中子能谱测量方法 | 第20-24页 |
| 2.2 基于碳化硅的辐射探测器设计 | 第24-25页 |
| 2.2.1 PIN结型半导体探测器的工作原理 | 第24页 |
| 2.2.2 基于SiC的中子探测器设计与制作 | 第24-25页 |
| 2.3 半导体中子探测器的性能指标 | 第25-31页 |
| 2.3.1 探测器静态特性 | 第26-28页 |
| 2.3.2 探测器动态特性 | 第28-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 半导体探测器静态特性测试方法研究 | 第32-43页 |
| 3.1 反向漏电流测试分析 | 第32-33页 |
| 3.2 C-V特性测试分析 | 第33-42页 |
| 3.2.1 电容测量原理 | 第34-37页 |
| 3.2.2 相关检测原理 | 第37-38页 |
| 3.2.3 测试条件 | 第38-39页 |
| 3.2.4 实验结果与分析 | 第39-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 碳化硅中子探测器的性能研究 | 第43-66页 |
| 4.1 SiC材料与中子的作用机理 | 第43-47页 |
| 4.2 实验装置 | 第47-53页 |
| 4.2.1 辐射源 | 第48-51页 |
| 4.2.2 前置放大器 | 第51-52页 |
| 4.2.3 电源供给 | 第52-53页 |
| 4.2.4 Pixie-500 | 第53页 |
| 4.3 α 能谱的测量 | 第53-59页 |
| 4.3.1 实验方案 | 第53-54页 |
| 4.3.2 系统可行性验证 | 第54-55页 |
| 4.3.3 α 能谱的测量结果分析及能量刻度 | 第55-59页 |
| 4.4 中子探测性能测试 | 第59-65页 |
| 4.4.1 探测效率 | 第60-61页 |
| 4.4.2 中子能谱测量性能 | 第61-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第66页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第73页 |
